ALD1101 transistor 系列型号列表/参数/数据手册

Advanced Linear Devices 的 ALD1101 系列是一系列金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于广泛的应用领域。这些晶体管有多种封装类型，因此在不同的电路配置中具有很高的灵活性。如果您正在从事涉及电源管理、信号切换或需要高频操作的应用项目，ALD1101 系列 MOSFET 是一个很好的选择。

值得注意的是，它们在处理高电流和高电压方面表现出很强的鲁棒性。当工程师需要在苛刻环境中获得可靠性能时，往往会选用这一系列。例如，在汽车电子领域，由于可靠性与效率至关重要，ALD1101 系列表现尤为出色。此外，由于其紧凑的尺寸和低导通电阻，它们在工业控制系统和消费电子产品中也表现出色，使其成为空间受限设计的理想选择。

另一个实际优势在于其使用方便。提供多种封装选项，包括 DPAK、TO-252 和 SOD-323，设计师可以根据自己的板级布局和热管理需求选择最适合的封装。这种灵活性特别有利于原型制作和生产阶段，因为适应性在这里尤为重要。总体而言，ALD1101 系列提供了性能与灵活性的良好平衡，使其成为许多工程项目中的首选组件。

制造商零件编号	库存	价格	产品类别	标准包装数量	工厂包装数量	RoHS	FET类型	FET特性	最大功率	漏源电压（Vdss）	连续漏极电流（Id）@ 25°C	包装方式	安装类型	封装形式	供应商器件封装	系列	其他名称	额定功率	晶体管类型	Vgs(th)（最大）@ Id	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	电流传输比（最小）	栅极触发电压 Vgt (最大)	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	安装样式	配置	工作温度	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds
ALD1101ASAL MOSFET Dual N-Channel Pair MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC Advanced Linear Devices	60	1: ¥38.76	MOSFET	50	50	RoHS Compliant	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	500mW	10.6V	25mA	Tube	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC	ALD1101A	1014-1001	500 mW	N-Channel	1V @ 10µA	75 Ohm @ 5V	- 12 V	0.01 S	13.2 V	40 mA	SMD/SMT	Dual	0 C	-
ALD1101PAL MOSFET Dual N-Channel Pair MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIP Advanced Linear Devices	177	1: ¥25.228	MOSFET	50	50	RoHS Compliant	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	500mW	10.6V	25mA	Tube	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP	ALD1101P	1014-1002	500 mW	N-Channel	1V @ 10µA	75 Ohm @ 5V	10.6 V	0.01 S	10.6 V	40 mA	Through Hole	Dual	0 C	-
ALD1101APAL MOSFET Dual N-Channel Pair MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIP Advanced Linear Devices	46	1: ¥36.584	MOSFET	50	50	RoHS Compliant	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	500mW	10.6V	25mA	Tube	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP	ALD1101A	1014-1000	500 mW	N-Channel	1V @ 10µA	75 Ohm @ 5V	- 12 V	0.01 S	13.2 V	40 mA	Through Hole	Dual	0 C	10pF @ 5V
ALD1101SAL MOSFET Dual N-Channel Pair MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC Advanced Linear Devices	114	1: ¥25.228	MOSFET	50	50	RoHS Compliant	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	500mW	10.6V	25mA	Tube	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC	ALD1101S	1014-1003	500 mW	N-Channel	1V @ 10µA	75 Ohm @ 5V	- 12 V	0.01 S	13.2 V	40 mA	SMD/SMT	Dual	0 C	-
ALD1101BPAL MOSFET Dual N-Channel Pair MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIP Advanced Linear Devices	10	1: ¥24.004	MOSFET	50	50	RoHS Compliant	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	500mW	10.6V	25mA	Tube	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP	ALD1101B	-	500 mW	N-Channel	1V @ 10µA	75 Ohm @ 5V	- 12 V	0.01 S	13.2 V	40 mA	Through Hole	Dual	0 C	-
ALD1101APA MOSFET Dual N-Channel Pair Advanced Linear Devices	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD1101PA MOSFET Dual N-Channel Pair Advanced Linear Devices	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD1101SA MOSFET Dual N-Channel Pair Advanced Linear Devices	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD1101BSAL MOSFET N-CH DUAL MATCHED 8SOIC MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm Advanced Linear Devices Inc	10	1: ¥24.004	-	50	50	RoHS Compliant	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	500mW	10.6V	40mA	Tube	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC	*	1014-1217	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

ALD1101 transistor

ALD1101 transistor 系列

系列图片（2 张）

文档与媒体

常见问答

ALD1101 transistor - 型号列表

其他名称

系列

集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic

栅极触发电压 Vgt (最大)

连续漏极电流（Id）@ 25°C

安装类型

安装样式

封装形式

供应商器件封装