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HGTG27N120BN 系列

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大功率N沟道IGBT晶体管,TO-247封装,坚固

HGTG27N120BN 产品系列介绍

1. 概述

HGTG27N120BN 产品系列代表了一系列先进的功率半导体器件,这些器件专为满足现代电力电子应用的严苛要求而设计。这些器件采用先进的半导体技术,具备高性能、高可靠性和高效率的特点,使其成为广泛的工业、汽车和消费电子应用的理想选择。

2. 关键特性

2.1 高电压承受能力

HGTG27N120BN 系列的额定击穿电压为 1200V。这一高电压额定值使这些器件能够处理大幅度的电压波动,并在高压电力系统中运行。它适用于工业电机驱动器、大功率逆变器和电源等需要高压运行的应用场景。

2.2 低导通电阻

该产品系列的显著特点之一是其低导通电阻(RDS(on))。低 RDS(on) 值意味着当器件处于导通状态时,以热量形式耗散的功率较少。这不仅提高了电力系统的整体效率,还减少了对复杂且庞大的散热解决方案的需求。因此,HGTG27N120BN 系列有助于设计人员打造更紧凑、更节能的电力电子电路。

2.3 快速开关速度

这些器件具备快速开关特性。快速的导通和关断时间使其能够实现高频运行,这对于开关电源和高频逆变器等应用至关重要。更快的开关速度还有助于降低开关损耗,进一步提高电力系统的效率。

2.4 高电流处理能力

HGTG27N120BN 系列能够处理相对较高的电流。这种高电流处理能力使其适用于需要控制和传输大量电能的大功率应用。例如,在电动汽车充电站和大型工业电力转换器中,能够处理高电流是一项关键要求。

2.5 坚固耐用且可靠

该产品系列设计坚固耐用且可靠。它能够承受高水平的电气应力、温度变化和机械冲击。这使其适用于恶劣的工作环境,如工业工厂、汽车发动机舱应用和户外电力系统。这些器件还内置了保护功能,可防止因过流、过压和过热情况而损坏。

3. 应用领域

3.1 工业电机驱动器

在工业电机驱动器中,HGTG27N120BN 系列可用于控制流向电机的功率。其高电压和高电流处理能力以及快速开关速度,能够实现对电机速度和转矩的精确控制。这有助于提高电机运行效率并降低能耗。

3.2 可再生能源系统

对于太阳能逆变器和风力发电机转换器等可再生能源系统,HGTG27N120BN 系列起着至关重要的作用。它能够将太阳能电池板或风力发电机产生的直流电高效地转换为可并入电网的交流电。这些器件的低导通电阻和快速开关速度有助于最大限度地提高功率转换效率,并降低系统的总体损耗。

3.3 电动汽车(EV)充电

在电动汽车充电站中,HGTG27N120BN 系列的高电压和高电流处理能力至关重要。这些器件可用于充电站的功率转换阶段。

系列图片(4 张)

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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HGTG27N120BN - 型号列表3 个型号

制造商零件编号价格/库存PackageConfigurationMaximum Collector Emitter VoltageMaximum Continuous Collector CurrentMaximum Gate Emitter VoltageMountingStandard PackageSupplier PackageMaximum Gate Emitter Voltage Maximum Continuous Collector Current EU RoHSMaximum Operating Temperature Standard Package NameChannel TypePackagingMaximum Collector Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Minimum Operating Temperature Pin CountLead ShapeGate ChargeCurrent - Collector (Ic) (Max)Mounting TypeSwitching EnergyTd (on/off) @ 25°CVce(on) (Max) @ Vge, IcVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Supplier Device PackagePower - MaxInput TypePackage / CaseIGBT TypeTest ConditionCurrent - Collector Pulsed (Icm)rohsCollector-Emitter VoltagePackage TypeOperating Temperature (Max)Operating Temperature (Min)Operating Temperature ClassificationGate to Emitter Voltage (Max)Rad HardenedCollector Current (DC) (Max)Collector Current (DC)Transistor TypeDC Collector CurrentCollector Emitter Voltage VcesPower Dissipation PdCollector Emitter Voltage V(br)ceoOperating Temperature MinOperating Temperature MaxTransistor Case StyleNo. of PinsMSLSVHCCurrent Ic Continuous a MaxOperating Temperature RangePower Dissipation MaxTermination TypeTransistor PolarityVoltage VcesWeight (kg)Tariff No.
HGTG27N120BN
4
HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

fairchild semiconductor

询价3TO-247Single1200 V72 A±20 VThrough HoleRail / TubeTO-247±2072Compliant150TO-247NRail1200500000-553Through Hole270nC72AThrough Hole2.2mJ (on), 2.3mJ (off)24Ns/195ns2.7V @ 15V, 27A1200VTO-247500WStandardTO-247-3NPT960V, 27A, 3 Ohm, 15V216ALead free / RoHS Compliant1200 VTO-247150C-55CMilitary�20 VNo72 A72 A:IGBT:72A:2.7V:500W:1.2kV:-55°C:150°C:TO-247:3:-:No SVHC (20-Jun-2013):72A:-55°C to +150°C:500W:Through Hole:N Channel:1.2kV0.285411000
+HGTG27N120BN
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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

fairchild semiconductor

询价---------------------------------------------------------------
HGTG27N120BN
HGTG27N120BN

IGBT Single Transistor, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

询价---------------------------------------------------------------
3 个型号