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GT25Q 系列

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大功率N沟道IGBT电机专用晶体管

GT25Q系列是一款高性能串行NOR闪存产品线,专为满足现代嵌入式系统、物联网应用和消费电子产品的严苛需求而设计。该系列存储器以卓越的速度、可靠性和能效著称,是要求快速数据访问、稳定存储和低功耗应用的理想选择。GT25Q系列采用先进的CMOS技术,提供高密度存储方案,成为跨行业应用的通用解决方案。

该系列的突出优势在于其高速读写能力:通过支持四线SPI(QSPI)和双线SPI接口,配合高时钟频率,可实现快速数据传输,显著降低系统延迟。这一特性使其特别适用于汽车信息娱乐系统、工业自动化和高性能计算等实时应用场景。此外,该系列器件具有宽工作电压范围,可同时兼容低功耗与高性能系统。

GT25Q系列以耐久性和可靠性为核心设计理念,具备强大的数据保存能力——典型保存期限可达20年,并能承受高强度的编程/擦除循环次数,确保即使在严苛工作环境下仍能保持长期数据完整性。器件还集成了硬件写保护机制和唯一ID选项等高级安全功能,为敏感数据提供防护屏障,防止未授权访问。

该系列采用行业标准封装尺寸,兼具紧凑性与高效性,可轻松集成至空间受限的设计中。其低功耗特性使其成为可穿戴设备、智能家居和便携医疗设备等电池供电产品的优选方案。在汽车电子领域,该系列凭借高可靠性和耐温性能,可满足车规级应用的严格要求。

作为集高性能、可靠性和能效于一体的存储解决方案,GT25Q系列已成为各行业开发者和工程师的首选。无论是消费电子、汽车系统还是工业应用,该系列都能提供驱动下一代创新技术所需的存储性能与耐久保障。

系列图片(2 张)

常见问答

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GT25Q - 型号列表5 个型号

Package

Supplier Package

制造商零件编号价格/库存PackageConfigurationMaximum Collector Emitter VoltageMaximum Continuous Collector CurrentMaximum Gate Emitter VoltageMountingSupplier PackageMaximum Gate Emitter Voltage Maximum Continuous Collector Current EU RoHSMaximum Operating Temperature Channel TypeMaximum Collector Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Minimum Operating Temperature Pin CountStandard PackageStandard Package NameDC Collector CurrentCollector Emitter Voltage VcesPower Dissipation PdCollector Emitter Voltage V(br)ceoOperating Temperature MinOperating Temperature MaxTransistor Case StyleNo. of PinsMSLSVHCCurrent Ic Continuous a MaxFall Time TypOperating Temperature RangePower Dissipation MaxPulsed Current IcmRise TimeTermination TypeTransistor PolarityTransistor TypeVoltage VcesWeight (kg)Tariff No.
GT25Q102(Q)
GT25Q102(Q)

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin TO-3P

toshiba

询价3TO-3PSingle1200 V25 A±20 VThrough Hole----------------------------------
GT25Q301
GT25Q301

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin TO-3P(LH)

toshiba

询价3TO-3P(LH)Single1200 V25 A±20 VThrough Hole----------Rail / Tube-----------------------
GT25Q301(Q)
GT25Q301(Q)

IGBT Transistors High Power Motor N Channel IGBT 2.7V

Toshiba

询价----------------------------------------
GT25Q102
2
GT25Q102

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin TO-3P

Toshiba

询价------TO-3P±2025Not Compliant150N1200200000-553-TO-3P:25A:2.7V:200W:1.2kV:-55°C:150°C:TO-3P:3:-:No SVHC (20-Jun-2013):25A:160ns:-55°C to +150°C:200W:50A:100ns:Through Hole:N Channel:IGBT:1.2kV0.0097585412900
GT25Q101
GT25Q101

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

Toshiba

询价------TO-3PL±2025Not Compliant150N1200200000-553------------------------
5 个型号