芯天下

2N6790 系列

microsemi
ti
rochester
ir
harris-semiconductor

多种封装的N沟道MOSFET

2N6790系列是一系列坚固耐用的高压NPN晶体管,专为电子行业中各种高要求应用而设计。这些晶体管以其卓越的性能和可靠性著称,能够处理高功率水平,因此非常适合用于功率放大器、开关应用和线性电路。

2N6790系列的一个突出特点是其高电压额定值,使其能够在其他晶体管可能失效的环境中有效运行。该系列晶体管的集电极-发射极电压(Vce)额定值高达150V,因此在电源电路和工业控制系统等电压管理至关重要的应用中表现出色。其高电流处理能力(最大集电极电流Ic约为10A)进一步增强了其在各种电源管理应用中的多功能性。

2N6790系列的设计特点包括高速开关能力和出色的热稳定性,这对于在不同温度和负载条件下保持性能至关重要。该系列晶体管采用TO-220封装,能够有效散热并便于在电路设计中安装,从而简化了其在紧凑系统中的集成。

2N6790系列的典型应用涵盖多个领域,包括消费电子、汽车系统和工业机械。它们在音频系统的功率放大器、电机控制电路和继电器驱动器中尤为有效。此外,其可靠性和性能使其适用于高频应用,如射频放大器和信号处理电路。

总之,2N6790系列是工程师和设计师寻求高性能NPN晶体管的可靠选择。其高电压和电流额定值的结合,加上强大的热管理和广泛的应用,使其成为现代电子系统设计中不可或缺的组件。无论是在消费产品还是工业设备中,2N6790系列都体现了高功率电子设计中的质量和可靠性。

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
加载中...

2N6790 - 型号列表8 个型号

Package

Maximum Continuous Drain Current

Operating Temperature

Mounting

Standard Package

Mounting Type

Package / Case

Supplier Device Package

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

制造商零件编号价格/库存Standard PackagePackageChannel ModeMaximum Drain Source VoltageMaximum Continuous Drain CurrentRDS-onMaximum Gate Source VoltageTypical Turn-On Delay TimeTypical Turn-Off Delay TimeOperating TemperatureMountingPackagingSeriesFET FeatureMounting TypeVgs(th) (Max) @ IdPackage / CaseSupplier Device PackageRds On (Max) @ Id, VgsFET TypePower - MaxDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate Charge (Qg) @ VgsrohsMaximum Gate Source Voltage EU RoHSMaximum Operating Temperature Standard Package NamePackage Height Package Diameter Channel TypeMaximum Drain Source Resistance Minimum Operating Temperature Maximum Drain Source Voltage Number of Elements per ChipMaximum Power Dissipation Supplier PackagePCBMaximum Continuous Drain Current Pin CountContinuous Drain CurrentGate-Source Voltage (Max)Power DissipationDrain-Source On-ResOperating Temp RangePackage TypePolarityTypeNumber of ElementsOperating Temperature ClassificationDrain-Source On-VoltRad HardenedDELETED
2N6790
2N6790

Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39

international rectifier

询价Bulk3TO-39Enhancement200 V3.5 A850@10V mOhm±20 V40(Max) ns50(Max) ns-55 to 150 °CThrough HoleBulk-------------±20Not Compliant150TO-205-AF4.54(Max)9.22(Max)N850@10V-55200120000TO-3933.533.5 A�20 V20 W0.85 ohm-55C to 150CTO-39NPower MOSFET1Military200 VNoNot Compliant
2N6790JANTX
2N6790JANTX

Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39

international rectifier

询价Bulk3TO-39Enhancement200 V3.5 A850@10V mOhm±20 V40(Max) ns50(Max) ns-55 to 150 °CThrough Hole-------------------------------------------
2N6790UJANTX
2N6790UJANTX

Trans MOSFET N-CH 200V 2.8A 18-Pin LLCC

international rectifier

询价Bulk18LLCCEnhancement200 V2.8 A850@10V mOhm±20 V40(Max) ns50(Max) ns-55 to 125 °CSurface Mount-------------------------------------------
2N6790JANTXV
2N6790JANTXV

Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39

international rectifier

询价Bulk3TO-39Enhancement200 V3.5 A850@10V mOhm±20 V40(Max) ns50(Max) ns-55 to 150 °CThrough Hole-------------------------------------------
2N6790
2N6790

MOSFET N-CH 200V TO-205AF

Microsemi Commercial Components Group

询价1----------Bulk*StandardThrough Hole4V @ 250µATO-205AFTO-39800 mOhm @ 2.25A, 10VMOSFET N-Channel, Metal Oxide800mW200V3.5A (Tc)14.3nC @ 10VContains lead / RoHS non-compliant-----------------------------
2N6790U
2N6790U

MOSFET N-CH 200V 18LCC

Microsemi Commercial Components Group

询价1----------Bulk*StandardSurface Mount4V @ 250µA18-BQFN Exposed Pad18-ULCC (9.14x7.49)800 mOhm @ 2.25A, 10VMOSFET N-Channel, Metal Oxide800mW200V2.8A (Tc)14.3nC @ 10VContains lead / RoHS non-compliant-----------------------------
2N6790TXV
2N6790TXV

Harris Semiconductor

询价------------------------------------------------------
询价------------------------------------------------------
8 个型号