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2N3811 系列

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TO-78封装通用晶体管

2N3811系列是一组广为人知的N沟道JFET(结型场效应晶体管)器件,以其高输入阻抗、低噪声特性以及在多种电子应用中的多功能性而著称。这些晶体管专为满足现代电路需求而设计,特别适用于模拟信号处理领域,其中保持信号完整性至关重要。2N3811的卓越性能参数使其能够在各种环境中有效运行,成为专业和业余电子项目中不可或缺的元件。

2N3811系列的一个突出特点是其高输入阻抗,通常超过1 MΩ。这一特性使其能够与高阻抗源无缝对接,而不会对电路造成负载,因此非常适合音频前置放大和传感器接口等应用。此外,JFET结构提供了极低的噪声生成,确保微弱信号的完整性得以保留,这对于精密测量和音频应用至关重要。

在设计方面,2N3811晶体管采用标准的TO-92封装,便于集成到PCB布局中,同时保持紧凑的尺寸。这一设计考虑增强了2N3811在空间受限环境中的可用性,例如便携式电子设备和紧凑型通信系统。此外,该器件强大的热特性使其能够在广泛的温度范围内可靠运行,适用于工业应用。

2N3811系列的典型应用包括射频(RF)电路中的低噪声放大器、运算放大器的输入级以及模拟信号处理中的压控电阻。其多功能性还延伸至消费电子、汽车系统和各种仪器设备中,这些领域对高性能和可靠性要求极高。2N3811体现了性能、尺寸和效率的理想平衡,成为工程师和设计师提升电子设计水平的首选。

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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2N3811 - 型号列表10 个型号

Package

Mounting

制造商零件编号价格/库存PackageTypePin CountMaximum Collector Emitter VoltageMaximum DC Collector CurrentMinimum DC Current GainMaximum Collector Emitter Saturation VoltageOperating TemperatureMaximum Power DissipationMountingStandard PackageCurrent - Collector (Ic) (Max)Transistor TypeMounting TypeVce Saturation (Max) @ Ib, IcCurrent - Collector Cutoff (Max)Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Supplier Device PackagePackagingPower - MaxPackage / CaseDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vcerohs
2N3811
2N3811

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78

microsemi

询价6TO-78PNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWThrough HoleBulk50mA2 PNP (Dual)Through Hole250mV @ 100µA, 1mA10µA (ICBO)60VTO-78-6Bulk350mWTO-78-6 Metal Can300 @ 100µA, 5VContains lead / RoHS non-compliant
2N3811L
2N3811L

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78

microsemi

询价6TO-78PNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWThrough HoleBulk50mA2 PNP (Dual)Through Hole250mV @ 100µA, 1mA10µA (ICBO)60VTO-78-6Bulk350mWTO-78-6 Metal Can300 @ 100µA, 5VContains lead / RoHS non-compliant
2N3811JANTX
2N3811JANTX

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78

microsemi

询价6TO-78PNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWThrough HoleBulk------------
2N3811UJANTX
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Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin Case U

microsemi

询价6Case UPNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWSurface MountBulk------------
2N3811LJAN
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Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78

microsemi

询价6TO-78PNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWThrough HoleBulk------------
2N3811U
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Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin Case U

microsemi

询价6Case UPNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWSurface MountBulk50mA2 PNP (Dual)Through Hole250mV @ 100µA, 1mA10µA (ICBO)60VTO-78-6Bulk350mWTO-78-6 Metal Can300 @ 100µA, 5VContains lead / RoHS non-compliant
2N3811LJANTXV
2N3811LJANTXV

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78

microsemi

询价6TO-78PNP660 V0.05 A75@1uA@5V|225@10uA@5V|300@100uA@5V|300@1mA@5V|250@10mA@5V0.2@10uA@100uA|0.25@100uA@1mA V-65 to 200 °C350 mWThrough HoleBulk------------
2N3811
2N3811

SOLID STATE

询价-----------------------
2N3811
2N3811

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

Central Semiconductor Corp

询价-----------------------
2N3811A
2N3811A

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

Central Semiconductor Corp

询价-----------------------
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