2MBI200N-120

富士大功率IGBT模块,工业级

厂家: fuji-electric

产品描述

# 2MBI200N - 120 产品系列介绍

## 1. 概述
2MBI200N - 120 产品系列属于功率半导体模块范畴。这些模块经过精心设计,能够高效、可靠且精确地处理高功率应用。它们是各种工业和电气系统中的关键组件,可实现电能的平稳转换和控制。

## 2. 关键规格

### 2.1 电流和电压额定值
- **电流额定值**:型号中的“200”表示这些模块的连续集电极电流(IC)额定值为 200 安培。这种高电流容量使其适用于需要大量功率输出的应用,如大型电机驱动器和高功率逆变器。
- **电压额定值**:“120”代表 1200 伏的电压额定值。这种高电压耐受性使模块能够在具有相对高电压电源的系统中运行,为工业和配电领域提供了广泛的应用可能性。

### 2.2 功率耗散
2MBI200N - 120 模块设计用于处理大量的功率耗散。通过高效的散热机制和先进的半导体材料,它们能够在运行过程中有效地散发热量。这对于维持模块的性能和使用寿命至关重要,因为过热会使半导体组件性能下降,并降低系统的整体可靠性。

### 2.3 开关特性
- **快速开关速度**:这些模块具有相对较快的开关时间,这对于逆变器中的脉宽调制(PWM)等应用至关重要。快速开关能够更精确地控制输出电压和电流,从而提高系统效率并减少谐波失真。
- **低开关损耗**:将开关损耗降至最低是关键的设计考量。2MBI200N - 120 系列通过先进的半导体技术和优化的电路设计实现了低开关损耗。这不仅提高了系统的整体能源效率,还减少了开关操作过程中产生的热量。

## 3. 结构与设计

### 3.1 半导体技术
这些模块通常基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术。IGBT 结合了双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的优点。它们具有像 BJT 一样的高载流能力,以及 MOSFET 的电压控制开关特性。这使其成为需要高效功率控制的高功率应用的理想选择。

### 3.2 封装
2MBI200N - 120 模块采用坚固紧凑的封装。该封装旨在提供电气绝缘、机械保护和高效的热传递。它通常包含诸如用于提高热导率的陶瓷基板,以及用于保护内部半导体组件免受湿气和灰尘等环境因素影响的密封结构。

## 4. 应用

### 4.1 电机驱动器
在工业电机驱动器中,2MBI200N - 120 模块在控制电动机的速度和转矩方面发挥着至关重要的作用。它们可以将电源的直流电转换为具有可变频率和电压的交流电,从而实现对电机运行的精确控制。这在输送机系统、泵和机床等应用中至关重要,因为在这些应用中,精确的电机控制对于实现最佳性能是必需的。

### 4.2 不间断电源(UPS)
UPS 系统用于在市电停电时提供备用电源。2MBI200N - 120 模块用于 UPS 的逆变器部分 。

产品系列型号