Wolfspeed, Inc.- 分立IGBT

Wolfspeed, Inc. 是一家领先的美国半导体公司，专注于宽禁带碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术。公司前身为成立于1987年的 Cree, Inc.，率先实现了碳化硅材料的商业化应用。总部位于北卡罗来纳州达勒姆，Wolfspeed 于2015年从 Cree 功率与射频业务更名，并在2021年出售LED业务后转型为纯粹的宽禁带半导体企业。其核心业务涵盖碳化硅衬底、外延片、功率器件以及射频 GaN-on-SiC 解决方案。功率产品线包括业界领先的 C3M 系列 SiC MOSFET、肖特基二极管、功率模块和栅极驱动板，广泛应用于电动汽车、快充桩、数据中心和光伏逆变器等领域。射频产品则提供高性能 GaN HEMT 与 MMIC，服务于 5G 基站、国防雷达和卫星通信。Wolfspeed 在纽约州马西运营着全球首座且规模最大的 200mm 碳化硅晶圆厂，彰显其制造领先地位。作为全球最大的碳化硅晶圆衬底供应商，Wolfspeed 在碳化硅功率器件市场占据技术主导。凭借从衬底到器件的垂直整合能力，以及与主要汽车 OEM 和一级供应商的长期战略合作，Wolfspeed 成为推动电动汽车变革和高效电源系统发展的关键核心力量。

分立IGBT - 型号列表

共 64 个型号

制造商零件编号	库存	价格	RoHS	晶体管类型	包装方式	封装形式	工厂包装数量	下降时间	栅极电荷	上升时间（典型）	首抽头延迟	通道数量	Vgs(th)（最大）@ Id	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	导通电阻（最大）	电流传输比（最小）	连续漏极电流（Id）@ 25°C	安装样式	技术	通道类型	制造商全称	工作温度	平均正向功率	配置	最大栅源电压 Vgs	开关时间（Ton, Toff）（最大）	产品	开通延迟时间	输出功能	关断延迟时间	供电电压	元件数量	输入电阻	最大功耗	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	宽度	高度	长度	安装类型	引脚数	包装数量	尺寸/外形	类型	卡标准	功能	标准包装数量	增益	频率	额定输出功率	测试电压	额定电压	输出电流	最大额定电流	商标名	系列	供应商器件封装
3 C2M0040120D Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 60 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 MOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A WOLFSPEED	1055	1: ¥232.016	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-3	30	34.4 ns	283 nC	52 ns	26.4 ns	1 Channel	2V	1200 V	40 mOhms	15.1s	60 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	330 W	Single	- 10 V, + 25 V	14.8 ns	Power MOSFET	15 ns	增强	26 ns	3.3V	1	0.052 Ω	330 W	-5 V，20 V	1893 pF @ 1000 V	5.21mm	21.1mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 5.21 x 21.1mm	Silicon Carbide Power MOSFET	功率 MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
3 CMF20120D Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 42 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT WOLFSPEED	69	1: ¥226.644	RoHS Compliant	SiC	-	TO-247-3	30	24 ns	90.8 nC	38 ns	40 ns	1 Channel	4.8V	1200 V	80 mOhms	7.9s	42 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+135 °C	150 W	Single	25 V	13 ns	-	13 ns	增强	40 ns	3.5V	1	0.12 Ω	215 W	-5/+20 V	1915 pF @ 800 V	5.21mm	21.1mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 5.21 x 21.1mm	-	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 C2M0025120D Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 90 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm WOLFSPEED	395	1: ¥263.8776	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-3	30	28.4 ns	406 nC	31.6 ns	28.8 ns	1 Channel	2V	1200 V	25 mOhms	23.6s	90 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	463 W	Single	- 10 V, + 25 V	14.4 ns	Power MOSFET	14 ns	增强	29 ns	3.3V	1	0.034 Ω	463 W	25 V	2788 pF @ 1000 V	21.1mm	5.21mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 21.1 x 5.21mm	Silicon Carbide Power MOSFET	功率 MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 C2M1000170J Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 5.3 A, Vds=1700 V, 7针 D2PAK封装 Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET , 5.3 A, Vds=1700 V, 7针 D2PAK封装 MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm Wolfspeed	2157	1: ¥38.012	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-263-7	50	40.4 ns	13 nC	4.8 ns	10.8 ns	1 Channel	4V	1700 V	1 Ohm	0.82S	5.3 A	SMD/SMT	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	-	-	-	4 ns	-	4 ns	增强	10.8 ns	3.8V	1	1.4 Ω	78 W	-10 V，25 V	200 pF @ 1000 V	10.99mm	4.57mm	10.23mm	表面贴装	7	D2PAK	10.23 x 10.99 x 4.57mm	-	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 C3M0065090J Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=900 V, 7针 D2PAK封装 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm Wolfspeed	13075	1: ¥70.108	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-263-7	50	5 ns	30 nC	6.5 ns	15 ns	1 Channel	2.1V	900 V	90 mOhms	13.6s	35 A	SMD/SMT	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	113 W	Single	- 8 V, + 18 V	7.2 ns	Power MOSFET	7.2 ns	增强	15 ns	4.4V	1	0.078 Ω	113 W	25 V	660 pF @ 600 V	10.99mm	4.57mm	10.23mm	表面贴装	7	D2PAK	10.23 x 10.99 x 4.57mm	Silicon Carbide MOSFET	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 C2M0280120D Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET , 10 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm Wolfspeed	2561	1: ¥36.924	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-3	30	9.9 ns	5.6 nC	7.6 ns	10.8 ns	1 Channel	4V	1200 V	280 mOhms	2.8S	10 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	62.5 W	Single	- 10 V to + 25 V	5.2 ns	-	5.2 ns	增强	10.8 ns	3.3V	1	0.37 Ω	62.5 W	25 V	259 pF @ 1000 V	21.1mm	5.21mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 21.1 x 5.21mm	-	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	Z-FET	-	-
2 C3M0120090D Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 23 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装 Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET , 23 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm Wolfspeed	2100	30: ¥43.06	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-3	30	8 ns	17.3 nC	10 ns	25 ns	1 Channel	3.5V	900 V	120 mOhms	7.7S	23 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	97 W	Single	-	27 ns	Power MOSFET	27 ns	增强	25 ns	4.8V	1	0.155 Ω	97 W	-8 V，18 V	350 pF @ 600 V	21.1mm	5.21mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 21.1 x 5.21mm	Silicon Carbide MOSFET	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 C3M0065090D Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 36 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装 Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET , 36 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm Wolfspeed	20	1: ¥89.985	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-3	30	25 ns	30.4 nC	36 ns	28 ns	1 Channel	2.1V	900 V	90 mOhms	13.6S	36 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	125 W	Single	- 8 V, + 18 V	21 ns	Power MOSFET	21 ns	增强	28 ns	4.8V	1	0.078 Ω	125 W	18 V	660 pF @ 600 V	21.1mm	5.21mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 21.1 x 5.21mm	Silicon Carbide MOSFET	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 C3M0065100K Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=1000 V, 4针 TO-247-4封装 Wolfspeed C3M 系列 SiC N沟道 MOSFET , 35 A, Vds=1000 V, 4针 TO-247-4封装 MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 Wolfspeed	2293	1: ¥82.688	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-4	30	8 ns	35 nC	10 ns	19 ns	1 Channel	3.5V	1000 V	65 mOhms	14.3S	35 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	113.5 W	1 N-Channel	- 4 V, + 15 V	-	-	20 ns	增强	19 ns	4.8V	1	90 mΩ	113.5 W	-4/+15（静态）V，-8/+19（动态）V	660 pF @ 600 V	5.21mm	23.6mm	16.13mm	通孔	4	TO-247-4	16.13 x 5.21 x 23.6mm	-	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	C3M	-
2 C3M0280090D Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET , 11.5 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm Wolfspeed	1291	1: ¥23.596	RoHS Compliant	SiC	Tube	TO-247-3	30	7.5 ns	9.5 nC	10 ns	17.5 ns	1 Channel	3.5V	900 V	280 mOhms	3.6s	11.5 A	Through Hole	SiC	N	Wolfspeed / Cree	+150 °C	54 W	Single	-	26 ns	Power MOSFET	26 ns	增强	17.5 ns	4.8V	1	0.36 Ω	54 W	-8 V，18 V	150 pF @ 600 V	21.1mm	5.21mm	16.13mm	通孔	3	TO-247	16.13 x 21.1 x 5.21mm	Silicon Carbide MOSFET	功率 MOSFET	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C2M0045170D MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A Wolfspeed, Inc.	799	1: ¥592.96	RoHS Compliant	N-Channel	Tube	TO-247-3	30	18 ns	188 nC	20 ns	48 ns	1 Channel	2 V	1700 V	45 mOhms	21.7 S	72 A	Through Hole	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	520 W	1 N-Channel	- 5 V, + 20 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C3M0120100K MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 Wolfspeed, Inc.	561	1: ¥59.50	RoHS Compliant	N-Channel	Tube	TO-247-4	30	8 ns	21.5 nC	15 ns	19 ns	1 Channel	1.8 V	1 kV	120 mOhms	7.7 S	22 A	Through Hole	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	83 W	1 N-Channel	- 4 V, + 15 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C3M0120090J-TR MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm Wolfspeed, Inc.	10	1: ¥74.5805	RoHS Compliant	N-Channel	Reel	TO-263-7	800	5 ns	17.3 nC	9 ns	15 ns	1 Channel	1.8 V	900 V	170 mOhms	6.7 S	22 A	SMD/SMT	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	83 W	Single	- 8 V, + 18 V	12.5 ns	Power MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Silicon Carbide MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C3M0120090J MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm Wolfspeed, Inc.	442	1: ¥44.948	RoHS Compliant	N-Channel	Tube	TO-263-7	50	5 ns	17.3 nC	9 ns	15 ns	1 Channel	1.8 V	900 V	170 mOhms	6.7 S	22 A	SMD/SMT	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	83 W	Single	- 8 V, + 18 V	12.5 ns	Power MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Silicon Carbide MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C3M0280090J MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm Wolfspeed, Inc.	1386	1: ¥24.82	RoHS Compliant	N-Channel	Tube	TO-263-7	50	4 ns	9.5 nC	6.5 ns	11 ns	1 Channel	1.8 V	900 V	385 mOhms	3.1 S	11 A	SMD/SMT	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	50 W	Single	- 8 V, + 18 V	10.5 ns	Power MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Silicon Carbide MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C3M0280090J-TR MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm Wolfspeed, Inc.	1496	1: ¥24.82	RoHS Compliant	N-Channel	Reel	TO-263-7	800	4 ns	9.5 nC	6.5 ns	11 ns	1 Channel	1.8 V	900 V	385 mOhms	3.1 S	11 A	SMD/SMT	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	50 W	Single	- 8 V, + 18 V	10.5 ns	Power MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Silicon Carbide MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
C3M0075120K MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm Wolfspeed, Inc.	17	1: ¥78.6345	RoHS Compliant	N-Channel	Tube	TO-247-4	30	11 ns	51 nC	11 ns	33 ns	1 Channel	1.7 V	1.2 kV	75 mOhms	8.3 S	30 A	Through Hole	SiC	Enhancement	Wolfspeed / Cree	+ 150 C	119 W	1 N-Channel	- 4 V, + 15 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CGHV22100-TB MOSF RF 125V 6A 2.2GHZ 440162 Wolfspeed, Inc.	-		Lead free / RoHS Compliant	HEMT	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2	20dB	1.8GHz ~ 2.2GHz	100W	50V	125V	500mA	6A	-	-	-
CGHV22100F MOSF RF 125V 6A 2.2GHZ 440162 Wolfspeed, Inc.	-		Lead free / RoHS Compliant	HEMT	Tube	440162	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	100	20dB	1.8GHz ~ 2.2GHz	100W	50V	125V	500mA	6A	-	-	440162
CGHV22200-TB MOSF RF 125V 12A 2.2GHZ 440162 Wolfspeed, Inc.	-		Lead free / RoHS Compliant	HEMT	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2	18dB	1.8GHz ~ 2.2GHz	200W	50V	125V	1A	12A	-	-	-