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Toshiba Corporation
DDR SDRAM存储芯片

Toshiba Corporation- DDR SDRAM存储芯片

东芝株式会社是一家日本跨国综合企业，总部位于东京港区，由芝浦制作所和东京电气于1939年合并成立，历史可追溯至1875年。核心业务涵盖半导体、存储解决方案、基础设施系统和数字解决方案等领域。在半导体领域，东芝提供分立器件、光电器件、模拟IC和微控制器等丰富产品线。重点产品系列包括光耦TLP系列、功率MOSFET（如SSM和DT系列）以及IGBT模块（如MG系列）。东芝还推出基于ARM的TXZ系列微控制器，用于嵌入式应用，以及面向工业和汽车市场的电机驱动IC。自1986年以来，东芝一直位居全球光电器件和分立半导体供应商第一位，行业地位显著。其技术优势体现在专有半导体工艺和高效功率器件上，如碳化硅（SiC）功率产品。东芝电子器件与存储事业群持续在物联网、汽车和数据中心等领域推动创新。凭借卓越的品质和可靠性传承，东芝成为全球电子制造商值得信赖的合作伙伴。

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

共 79 个型号

制造商零件编号	库存	价格	封装形式	标准包装数量	额定电压	主要材料	密度	工作温度	架构	接口	扇区大小	存储器架构	地址数量	定时调节方式	尺寸	FWFT支持（先入先出温度）	标准封装名称	欧盟RoHS	电压	供电电压	最大额定电流	最小供电电压	每元件位数	引脚样式	安装类型	包装数量	位数	字容量	工厂包装数量	RoHS	转速	存取时间	存储器容量	存储器类型	供电电流	包装方式	安装样式	冷却的封装	系列	制造商全称	宽度	总长度	外壳尺寸-插件	印刷电路板数量	抗辐射加固	输出电流	双向通道数	连接器护套颜色	核心数/总线宽度	可编程性	存储器格式	总线连接	结工作温度	页面模式支持	晶体管类型	高度	长度	引脚数	尺寸/外形	功能	结构（如双向、串接等）	字符数	RAM容量/已安装
TC58FVM7B5BTG-65CCH 128M (16X8/8X16) 3V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP48, IND, HAZMAT toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC9WMC1FKTE85LF MEMORIES AND STORAGE DEVICES toshiba	-		8SSOP	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC9WMC2FKTE85LF MEMORIES AND STORAGE DEVICES toshiba	-		8SSOP	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC59LM818DKBI-37 288MBITS NETWORK FCRAM2 (I-VERSION) toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58NVG7D2ELA89YCJ NAND FLASH toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC58NVG2S3ETA00YCJ NAND FLASH toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TCM9200MD(OZ) TOSHIBA CAMERA MODULE toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC58NVG0S3AFT05 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 35ns 48-Pin TSOP-I toshiba	-		48TSOP-I	-	3.3 V	SLC NAND	1 Gb	0 to 70 °C	Sectored	Parallel	128Kbyte x 1024	Symmetrical	27 Bit	Asynchronous	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58TEG7D2HBA4C 128GB MLC NAND toshiba	10	1: ¥289.408	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58TEG9D2HBA89 TH58TEG9D2HBA89 toshiba	10	1: ¥680.34	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58NVG4S0ETA20 NAND FLASH toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58NVG4S0ETAK0 NAND FLASH toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC58NVG2S3ETA00 SLC NAND Flash Serial 3.3V 4Gbit 512M x 8bit 30us 48-Pin TSOP-I Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM toshiba	46	1: ¥47.872	48TSOP-I	Trays	3.3 V	SLC NAND	4 Gb	0 to 70 °C	Sectored	Serial	128Kbyte x 4096	Symmetrical	1 Bit	Asynchronous	2 KB	Yes	TSOP	Supplier Unconfirmed	2.7 to 3.6	No	30	2.7 V	8	Gull-wing	Surface Mount	TSOP-I	48	512M	96	RoHS Compliant	25 ns	30000 ns	4 Gbit	NAND	30 mA	Tray	SMD/SMT	TSOP-I	TC58NVG2S3	Toshiba	-	-	-	-	No	30 mA	Asynchronous	Not Required	8 bit	Yes	8 b	1 b	70C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58DVG5S0ETAK0 32G-bit NAND FLASH MEMORY toshiba	-		48TSOP-I	Rail / Tube, Trays	3.3 V	SLC NAND	32 Gb	-40 to 85 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58TVG7D2GBA4C NAND FLASH toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58TVG7E2FBA EMCL, TOGGLE MODE IF PARTS, BGA toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC58NYG0S3EBAI4 SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA toshiba	10	1: ¥25.976	63TFBGA	Trays	1.8 V	SLC NAND	1 Gb	-40 to 85 °C	Sectored	Serial	128Kbyte x 1024	Symmetrical	1 Bit	Synchronous	2112 byte	Yes	BGA	Supplier Unconfirmed	1.7 to 1.95	No	30	1.95	8	Ball	Surface Mount	TFBGA	63	128M	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	9	11	0.7(Max)	63	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TH58DVG5S0ETA20 SLC NAND Flash 3.3V 32Gbit 48-Pin TSOP toshiba	-		48TSOP	Rail / Tube	3.3 V	SLC NAND	32 Gb	0 to 70 °C	Sectored	-	256Kbyte x 16384	Symmetrical	-	-	4 KB	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TC58DYM92A5BAJ3 SLC NAND Flash Serial 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 63-Pin TFBGA toshiba	-		63TFBGA	Trays	1.8 V	SLC NAND	512 Mb	-40 to 85 °C	Non Sectored	Serial	-	-	26 Bit	Synchronous	528 byte	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-
3 TC58NVG0S3ETAI0 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 48-Pin TSOP-I NAND Flash 1Gbit 128Mx8bit 25ns TSOP48 Toshiba 闪存, 1 Gbyte (128M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装 Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Parallel EEPROM toshiba	32	1: ¥30.57	48TSOP-I	Trays	3.3 V	SLC NAND	1 Gb	-40 to 85 °C	Sectored	Parallel	128Kbyte x 1024	Symmetrical	28 Bit	Asynchronous	2112 byte	Yes	TSOP	Supplier Unconfirmed	2.7 to 3.6	No	30	4.6 V	8bit	Gull-wing	Surface Mount	TSOP-I	8Bit	128M	96	Compliant	25 ns	25ns	1Gbit	NAND	30 mA	Tray	SMD/SMT	TSOP	TC58NVG0S3	128M x 8	12.4mm	12.4(Max)	1	48	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	NAND	1mm	18.4mm	48	18.4 x 12.4 x 1mm	Y	128M x 8	128M	1 Gbyte

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Toshiba Corporation- DDR SDRAM存储芯片

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

标准包装数量

封装形式

密度

地址数量

尺寸

扇区大小

最小供电电压

位数

接口

额定电压

架构

定时调节方式

工作温度

标准封装名称

RoHS

电压

存取时间

存储器容量

每元件位数

引脚样式

冷却的封装

包装数量

系列

制造商全称

字容量

宽度

总长度

外壳尺寸-插件

印刷电路板数量