Semikron Elektronik GmbH & Co. KG- 分立IGBT

赛米控（Semikron）是一家全球领先的功率电子制造商，总部位于德国纽伦堡，成立于1951年，是一家家族企业，全球员工超过2800人。公司专注于中等至大功率范围（约2kW至10MW）的功率模块和系统，产品广泛应用于电机驱动、工业自动化、电源、可再生能源（风能和太阳能）以及多用途车辆等核心领域。其产品线涵盖IGBT模块、MOSFET模块、二极管/晶闸管模块，以及SKiiP和MiniSKiiP等智能功率模块，并提供驱动控制器和定制化功率组件。赛米控在功率半导体封装领域拥有压力接触技术和SKiiP技术等多项创新，实现了高可靠性和紧凑设计的结合。公司在全球拥有30家子公司，并在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国设有生产基地，确保快速响应本地客户需求。作为功率模块市场的领导者之一，赛米控在IGBT模块领域占有重要份额，以高效节能的解决方案著称。其创新电力电子产品帮助客户开发更小型、更节能的系统，为降低全球能源需求做出贡献。赛米控于2009年开通了网上直销平台，拓宽了销售渠道。2022年，赛米控与丹佛斯硅动力合并，成立赛米控丹佛斯，进一步巩固了其在功率半导体领域的领先地位。

分立IGBT - 型号列表

共 29 个型号

制造商零件编号	库存	价格	封装形式	类型	最大功率	供电电压	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	集电极电流（Ic）（最大）	主要材料	极性	其他规格	晶体管类型	最大额定电流	25°C时电阻	重量	包装数量	SPG	单元数量	结工作温度	最大栅源电压 Vgs	开关能量	阈值电压	上升/下降时间（典型）	工作温度	断态电压	安装类型	开启时间	关断延迟时间	集电极脉冲电流 (Icm)	尺寸/外形	原理图	RoHS	最大功耗	开通/关断时间（典型值）	配置	连接方式
SK200GD066T IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS SEMIKRON	-		T74	Trench	25.9mJ	600V	1.45V	174A	Si	N-Channel	12.2nF	IGBT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SK30DGDL066ET IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS SEMIKRON	-		-	Bridge	-	-	-	-	-	-	-	-	38A	-	-	-	-	-	T49	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SK50DGDL126T IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS SEMIKRON	-		-	Bridge	-	-	-	-	-	-	-	-	68A	-	-	-	-	-	T75	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 SKM200GB123D IGBT;D-56;IGBT;1200V;200A;1200V;20V;5.5V(Typ.) Transistor: IGBT; 1.2kV; 200A; SEMITRANS3 SEMIKRON	-		D56	Standard	41mJ	1200V	2.5V	200A	Si	N-Channel	10nF	IGBT	-	0.09K/W	0.3 kg	12	12	1	-	±20V	24mJ	5.5V(Typ.)	70ns	–40to+150°C	-	screwed	100ns	70ns	400A	see	see	-	-	-	-	-
SK100DGDL066T IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS SEMIKRON	-		-	Bridge	-	-	-	-	-	-	-	-	106A	-	-	-	-	-	T75	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SK30GB128 DUALIGBTMODULE,1200V,SEMITOP2 SEMIKRON	-		Semitop2	SPT	4.99mJ	1200V	2V	35A	Si	N-Channel	1.9nF	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKKD701/12 Semiconductor,IGBT;701A;1200V;Semipack5 Diode power module; 1.2kV; SEMIPACK5 Sindopower / Semikron	-		SEMIPACK5	-	-	-	-	-	-	-	-	diode power module	703A	-	0.43 g	1	1	1	-	-	-	-	-	-	1.2kV	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKKD701/16 Semiconductor,IGBT;701A;1600V;Semipack5 Diode power module; 1.6kV; SEMIPACK5 Sindopower / Semikron	10	1: ¥2,715.376	SEMIPACK5	-	-	-	-	-	-	-	-	diode power module	703A	-	0.43 g	1	1	1	-	-	-	-	-	-	1.6kV	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKKD701/22 Semiconductor,IGBT;701A;2200V;Semipack5 Sindopower / Semikron	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKM300GB123D Transistor,IGBT;D-56;IGBT;300A;1200V;20V;5.5V(Typ.) Sindopower / Semikron	-		D56	Standard	54mJ	1200V	2.5V	300A	Si	N-Channel	18nF	IGBT	-	0.075K/W	-	-	-	-	-	±20V	28mJ	5.5V(Typ.)	70ns	–40to+150°C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SK60GB128 DUALIGBTMODULE,1200V,SEMITOP3 Sindopower / Semikron	-		T27	SPT	10.6mJ	1200V	1.9V	63A	Si	N-Channel	4.46nF	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SK30GD123 SIXPACKIGBTMODULE,1200V,SEMITOP3 Sindopower / Semikron	10	1: ¥1,028.50	T12	Standard	6mJ	1200V	2.5V	33A	Si	N-Channel	1.65nF	IGBT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	RoHS Compliant Part	-	-	-	-
SK75GD066T IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS Sindopower / Semikron	-		T74	Trench	5.9mJ	600V	1.45V	83A	Si	N-Channel	4.7nF	IGBT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKM400GB123D IGBT;D-56;IGBT;1200V;400A;1200V;20V;5.5V(Typ.) Sindopower / Semikron	-		D56	Standard	78mJ	1200V	2.5V	400A	Si	N-Channel	22nF	IGBT	-	0.05K/W	-	-	-	-	-	±20V	38mJ	5.5V(Typ.)	80ns	–40to+150°C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKHI10/12R HighPowerIGBTDriverPCB Sindopower / Semikron	10	1: ¥1,605.888	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKKD701/18 Semiconductor,IGBT;701A;1800V;Semipack5 Diode power module; 1.8kV; SEMIPACK5 Sindopower / Semikron	-		SEMIPACK5	-	-	-	-	-	-	-	-	diode power module	703A	-	0.43 g	1	1	1	-	-	-	-	-	-	1.8kV	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SEMIX202GB12T4S IGBTModule,Trench,Half-Bridge,1200V,314AMax.,SEMiX2s Sindopower / Semikron	-		SEMiX®2s	Trench	43mJ	1200V	1.8V	314A	Si	N-Channel	12.3nF	-	-	0.14K/W	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SEMIX754GB128DS IGBTModule,SPT,Half-Bridge,1200V,680AMax.,SEMiX4s Sindopower / Semikron	-		SEMiX®4s	SPT	92mJ	1200V	1.9V	680A	Si	N-Channel	37.7nF	-	-	0.05K/W	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SK50GB065 DUALIGBTMODULE,600V,SEMITOP2 Sindopower / Semikron	-		T32	Ultrafast	1.8mJ	600V	2V	54A	Si	N-Channel	3.2nF	IGBT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 SK35GD065ET SIXPACKIGBTMODULE,600V,SEMITOP3 IGBT module SEMITOP 3 600 V, SK35GD065ET, Semikron Sindopower / Semikron	-		T52	Ultrafast	1.9mJ	600V	2V	45A	Si	N-Channel	2.7nF	IGBT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1 x M4	-	-	-	-	-	-	1.3	0.6	3-phase	Soldering pins