Samsung Electronics Co., Ltd.- DDR SDRAM存储芯片

三星电子有限公司成立于1969年，是三星集团的旗舰企业，总部位于韩国水原。该公司在消费电子、信息技术和半导体制造领域处于全球领先地位。在半导体方面，三星是全球最大的DRAM和NAND闪存芯片制造商，推动计算、移动和数据中心应用的创新。其系统LSI部门提供广泛的产品组合，包括Exynos系列移动处理器、ISOCELL图像传感器和电源管理芯片。三星半导体业务还提供先进的模拟和混合信号元件，如音频编解码器、无线充电芯片和显示驱动IC。公司的晶圆代工业务提供低至3纳米环绕栅极（GAA）节点的先进工艺技术，服务于全球主要无晶圆厂客户。此外，三星还生产用于汽车和工业应用的功率分立器件和LED元件。凭借在存储市场的绝对领先份额，三星按营收持续位列全球半导体公司前两名。其强大的专利组合和众多设计奖项证明了其技术领导力和对创新的承诺。该公司运营着全球研发中心和制造工厂网络，巩固了其作为电子供应链基石的地位。

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

共 391 个型号

制造商零件编号	库存	价格	标准包装数量	封装形式	时钟速率	存取时间	供电电压	类型	密度	地址数量	工作温度
K4D261638F-LC40000 DDR SGRAM X16 TSOP2 samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4D261638I-LC50T00 DDR SGRAM X16 TSOP2 samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4D263238I-GC50T00 DDR SGRAM X32 FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4D26323QG-GC33000 DRAM Chip GDDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 1.8V 144-Pin FBGA T/R samsung	-		Trays	144FBGA	600 MHz	0.55 ns	1.8 V	GDDR SDRAM	128 Mb	14 Bit	0 to 65 °C
K4D551638F-LC40000 DRAM Chip GDDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.6V 66-Pin TSOP-II samsung	16080	1: ¥47.192	Trays	66TSOP-II	500 MHz	0.6 ns	2.6 V	GDDR SDRAM	256 Mb	15 Bit	0 to 65 °C
K4D553235F-GC33T00 256MSGDDRDDR SGRAMX32FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4D553235F-VC2A000 DDR SGRAM X32 FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4H1G0438A-UCB0T00 1GB DDR SDRAM (DDR1) X4 TSOP2 samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4H1G0438A-UCB3000 1GB DDR SDRAM (DDR1) X4 TSOP2 samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4H1G0838A-UCB3T00 1GSDDDRDDR SDRAMX8TSOP2 samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4M51163PC-BG750JR 512 MOBILE SDRAM X16 FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4M51323PC-DG75000 4M X 32BIT X 4 BANKS MOBILE SDRAM IN 90FBGA samsung	-		Trays	90FBGA	-	-	-	-	-	-	-
K4M51323PC-DG750JR 512 MOBILE SDRAM X32 FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4M56163DG-BG75T00 256 MOBILE SDRAM X16 FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4M56163PG-BG75000 DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 54-Pin FBGA Tray samsung	-		Bulk	54FBGA	133 MHz	9\|6 ns	1.8 V	Mobile SDRAM	256 Mb	15 Bit	-25 to 85 °C
K4M56323PG-HG75T00 256MMSDRAMMOBILE SDRAMX32FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4R271669H-DCS8T00 128MRDRAMDIRECT RDRAMX16FBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4R761869A-GCT9000 512 DIRECT RDRAM X18 WBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4R881869E-GCT9000 288MRDRAMDIRECT RDRAMX18WBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4R881869E-GCT9T00 288MRDRAMDIRECT RDRAMX18WBGA samsung	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Samsung Electronics Co., Ltd.- DDR SDRAM存储芯片

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

封装形式

时钟速率

存取时间

标准包装数量

供电电压

类型

密度

地址数量

工作温度