芯天下
Rectron Ltd.

Rectron Ltd.- 分立IGBT

Rectron Ltd. 成立于1977年,是一家专注于分立器件的全球半导体制造商。公司总部位于台湾台北,主要制造基地设在中国大陆,其中 Rectron (China) Ltd. 为其核心生产据点,并拥有遍布全球的销售网络。核心业务涵盖整流器、二极管、三极管及瞬态电压抑制器等全系列分立功率半导体。产品技术覆盖肖特基势垒、超快速、特快速外延、高效、快速恢复及标准恢复整流器。独有的玻璃钝化连结构造技术被广泛应用于多款产品,显著提升了长期可靠性与环境耐受性。应用市场跨越消费电子、汽车、工业及通信等领域,提供关键的功率转换与电路保护方案。作为专业分立器件制造商,Rectron 凭借大批量、低成本的生产能力在功率半导体市场占据重要地位。一体化的垂直整合与位于中国的专属工厂确保了成本优势与供货稳定。历经数十年积累,公司持续在分立封装、散热管理与能效方面进行创新,以应对日益变化的行业需求。

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分立IGBT - 型号列表

共 8 个型号

连续漏极电流(Id)@ 25°C

包装方式

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

漏源电压(Vdss)

输入电容(Ciss)(最大)@ Vds

封装形式

供应商器件封装

Vgs(th)(最大)@ Id

最大功耗

技术

制造商全称

FET类型

最大栅源电压 Vgs

驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)

安装类型

工作温度

制造商零件编号库存价格包装方式技术连续漏极电流(Id)@ 25°C制造商全称零件状态FET特性Vgs(th)(最大)@ Id导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs漏源电压(Vdss)输入电容(Ciss)(最大)@ Vds安装类型封装形式供应商器件封装系列工作温度资质认证FET类型最大栅源电压 Vgs最大功耗驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)制造商等级RoHS最大功率栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs配置基础产品编号
TTIP32C-C

MOSFET TRANSISTOR

Rectron

101000: ¥1.9924Tube--------------------------
TTIP125

MOSFET PNP POWER TRANS MOSFET PNP Plastic Power Transistor

Rectron

101000: ¥3.3796BulkSi-Rectron------------------RoHS Compliant----
TC45H5

MOSFET TRAN PNP 10 AMP

Rectron

101000: ¥3.876BulkSi10 ARectron-----------------------
SI2309DS

MOSFET Plastic-Encapsulated MOSFET P-CH-60V

Rectron

404010: ¥0.5133ReelSi-Rectron------------------RoHS Compliant----
RM12N650T2

MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3

onsemi

-TubeMOSFET (Metal Oxide)11.5A (Tc)-Active-4V @ 250µA360mOhm @ 7A, 10V650 V870 pF @ 50 VThrough HoleTO-220-3TO-220-3--55°C ~ 150°C (TJ)-N-Channel±30V101W (Tc)10VRectron USA------
RM3407

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.3A SOT23

onsemi

-Tape & Reel (TR)MOSFET (Metal Oxide)4.3A (Ta)-Active-3V @ 250µA52mOhm @ 4A, 10V30 V700 pF @ 15 VSurface MountTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23--55°C ~ 150°C (TJ)-P-Channel±20V1.5W (Ta)4.5V, 10VRectron USA------
RMD0A8P20ES9

MOSFET 2P-CH 20V 0.8A SOT363-6L

onsemi

-Tape & Reel (TR)MOSFET (Metal Oxide)800mA (Ta)Rectron USAActive-1V @ 250µA1.2Ohm @ 500mA, 4.5V20V87pF @ 10VSurface Mount6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363-6L--55°C ~ 150°C (TJ)--------800mW (Ta)0.0018C @ 4.5V2 P-Channel (Dual)RMD0A8
RM40P40LD

MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252-2

onsemi

-Tape & Reel (TR)MOSFET (Metal Oxide)40A (Tc)-Active-3V @ 250µA14mOhm @ 12A, 10V40 V2960 pF @ 20 VSurface MountTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63TO-252-2--55°C ~ 175°C (TJ)-P-Channel±20V80W (Tc)10VRectron USA------
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