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Qorvo, Inc.
双极型晶体管

Qorvo, Inc.- 双极型晶体管

Qorvo 是一家领先的半导体公司，由 TriQuint 半导体和 RF Micro Devices 于 2015 年合并而成。公司总部位于美国北卡罗来纳州格林斯伯勒，专注于为移动、基础设施、国防与航空航天以及物联网市场提供创新的射频解决方案。Qorvo 的核心技术涵盖射频前端模块、功率放大器、开关、滤波器及先进封装。产品组合包括用于 5G 基站和国防系统的高性能 GaN（氮化镓）放大器，以及用于移动设备的 BAW（体声波）和 SAW（声表面波）滤波器。针对物联网，Qorvo 提供多协议系统级芯片如 QPG6100（支持 Zigbee、Thread、低功耗蓝牙）和超宽带（UWB）精确定位方案。在汽车领域，公司提供车联网（V2X）通信、信息娱乐和卫星收音机所用的射频组件。Qorvo 也是智能手机的关键供应商，提供高度集成的射频前端模块以支持 5G 连接，包括用于 Wi-Fi 6E/7 路由器的 QPF 系列。公司在国防和航空航天市场占据重要地位，拥有可在太空等极端环境中工作的抗辐射射频产品。凭借遍布全球的制造基地和设计中心，Qorvo 被公认为全球前三的射频前端供应商之一，与 Skyworks 和 Broadcom 竞争。其先进的 GaN 技术和专有滤波器工艺使 Qorvo 在高频高功率应用中保持竞争优势。

双极型晶体管 - 型号列表

共 85 个型号

制造商零件编号	库存	价格	工作温度	RoHS	安装类型	零件号别名	最大栅源电压 Vgs	封装形式	Vgs(th)（最大）@ Id	击穿电压	机械寿命	安装样式	配置	产品类别	峰值脉冲电流（10/1000µs）	增益	频率	包装方式	漏源电压（Vdss）	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	抗辐射加固	冷却的封装	位数	结工作温度	产品	额定功率	栅极触发电压 Vgt (最大)	类型	工厂包装数量	输出功率	晶体管类型	平均正向功率	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	连续漏极电流（Id）@ 25°C	系列	技术	制造商全称	开发套件	1dB压缩点	噪声系数	电流传输比（最小）
ASMA101 Transistors RF Bipolar Power RF Bipolar Trans Qorvo, Inc.	-		-	RoHS Compliant	-	1063468	-	-	-	-	Obsolete	-	-	Transistors RF Bipolar Power	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ASMA301 Transistors RF Bipolar Power RF GaAs Module Qorvo, Inc.	-		-	RoHS Compliant	-	1063473	-	-	-	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AUNA202 Transistors RF Bipolar Power RF Bipolar Module Qorvo, Inc.	-		-	RoHS Compliant	-	1063475	-	-	-	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ASMA201 Transistors RF Bipolar Power RF Bipolar Trans Qorvo, Inc.	-		+ 175 C	RoHS Compliant	-	1063469	-	-	-	-	Obsolete	SMD/SMT	-	Transistors RF Bipolar Power	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ASMA203 Transistors RF Bipolar Power RF Bipolar Trans Qorvo, Inc.	-		+ 175 C	RoHS Compliant	-	1063472	-	-	-	-	Obsolete	SMD/SMT	-	Transistors RF Bipolar Power	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ASMA202 Transistors RF Bipolar Power RF Bipolar Trans Qorvo, Inc.	-		-	RoHS Compliant	-	1063470	-	-	-	-	Obsolete	-	-	Transistors RF Bipolar Power	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TGF4118 Trans JFET 12V 4.41A Die Qorvo, Inc.	-		-65 to N/A °C	-	Surface Mount	-	0 V	-	-22(Typ) V	12 V	-	-	-	-	4410 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TGF4124 Trans JFET 12V 5.88A Die Qorvo, Inc.	-		-65 to N/A °C	-	Surface Mount	-	0 V	-	-22(Typ) V	12 V	-	-	-	-	5880 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FP1189-G Trans JFET 125mA 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Qorvo, Inc.	-		-55 to 160 °C	-	Surface Mount	-	-	4SOT-89	16 V	-	-	-	Single Dual Source	-	125 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CLY5 Trans JFET 9V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Qorvo, Inc.	-		-55 to 150 °C	-	Surface Mount	-	-6 V	4SOT-223	12 V	9 V	-	-	Single Dual Source	-	1200 mA	-	-	-	9 V	1.2 A	No	SOT-223	3 +Tab	150C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TGF4230-SCC Trans JFET 12V 4-Pin Die Qorvo, Inc.	-		-65 to 150 °C	-	Surface Mount	-	0 V	4Die	-	12 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CLY2 Transistors RF GaAs GaAs LN MMIC Transistors RF JFET GaAs LN MMIC Trans JFET 9V 600mA 6-Pin MW T/R Qorvo, Inc.	-		+ 150 C	RoHS Compliant	Surface Mount	1014601	6 V	MW-6	-	-	-	SMD/SMT	Dual	-	-	14.5 dB	1.8 GHz	Reel	9 V	650 mA	No	MW	6	150C	RF JFET	900 mW	- 6 V	GaAs HEMT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	23.5 dBm	-	-
TGF2960-SD-T/R Transistors RF GaAs DC-5.0GHz 0.5 Watt HFET TGF2960-SD-T/R Qorvo, Inc.	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TGF4240-SCC Trans JFET 12V 6-Pin Die Qorvo, Inc.	-		-65 to 200 °C	-	Surface Mount	-	0 V	6Die	-	12 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CFH800 Trans JFET 5.5V 160mA 4-Pin(3+Tab) SC-70 Transistors RF JFET GaAs LN Transistor Qorvo, Inc.	-		-65 to 150 °C	RoHS Compliant	Surface Mount	1032282	-2 V	4SC-70	6.5 V	5.5 V	-	SMD/SMT	Single Dual Source	Transistors RF JFET	160 mA	17 dB	1.8 GHz	Reel	5.5 V	140 mA	-	-	-	-	RF JFET	350 mW	- 2 V	GaAs pHEMT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	0.5 dB	200 mS
TGF4124-EPU Trans JFET 12V Die Qorvo, Inc.	-		-65 to 200 °C	-	Surface Mount	-	0 V	-	-	12 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TGF2021-04-SD Trans JFET N-CH 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Bulk Qorvo, Inc.	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TGF2960-SD Trans JFET N-CH 390mA GaAs HFET 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Qorvo, Inc.	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
QPD1008L RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN Qorvo	25	1: ¥1,360.00	+ 85 C	RoHS Compliant	-	-	-	NI-360	145 V	-	-	Screw	Single	-	-	17.5 dB	3.2 GHz	Tray	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	25	162 W	N-Channel	127 W	50 V	4 A	QPD	GaN SiC	Qorvo	QPD1008LPCB401	-	-	-
QPD1008 RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN Qorvo	23	1: ¥1,360.00	+ 85 C	RoHS Compliant	-	-	-	NI-360	145 V	-	-	SMD/SMT	Single	-	-	17.5 dB	3.2 GHz	Tray	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	25	162 W	N-Channel	127 W	50 V	4 A	QPD	GaN SiC	Qorvo	QPD1008PCB401	-	-	-

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Qorvo, Inc.- 双极型晶体管

双极型晶体管 - 型号列表

零件号别名

工作温度

封装形式

Vgs(th)（最大）@ Id

峰值脉冲电流（10/1000µs）

最大栅源电压 Vgs

击穿电压

配置

漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）

增益

产品类别

安装样式

漏源电压（Vdss）

冷却的封装

位数

频率

额定功率

栅极触发电压 Vgt (最大)

包装方式

类型

开发套件