NTE Electronics, Inc.- 分立IGBT

NTE Electronics, Inc.（NTE电子公司）是一家领先的电子元器件供应商，总部位于美国新泽西州布卢姆菲尔德。公司成立于1979年，长期以来以向工业、商业和消费电子市场提供高品质替换零件及原厂元器件而著称。其核心业务聚焦于广泛电子元器件的采购与分销，尤其擅长为停产或难以寻找的半导体器件提供交叉互换替代方案。产品线涵盖半导体（晶体管、二极管、晶闸管、集成电路）、继电器、电容器、电阻器、热缩管、连接器以及各类工具与配件。代表性产品系列包括NTE/ECG半导体产品线，提供与主要制造商型号对应的等效替换件，以及成熟的RLY系列机电与固态继电器。电容领域，NEH系列铝电解电容和MLR系列陶瓷圆片电容广受欢迎。凭借全面的交叉互换数据库，NTE帮助工程师和技术人员快速定位兼容替代品，减少设备停机时间。虽然并非传统意义上的半导体制造商，NTE在北美售后电子元器件市场占据重要地位，以可靠质量和广泛供应著称。通过授权分销商网络进行销售，其产品触达维修车间、原始设备制造商及电子爱好者。NTE电子持续扩展产品组合以满足行业需求，同时通过维修延长电子设备寿命，践行可持续发展理念。

分立IGBT - 型号列表

共 6 个型号

制造商零件编号	库存	价格	晶体管类型	海关税号	重量	供电电压	集电极电流（Ic）（最大）	最大栅源电压 Vgs	阈值电压	导通电阻 RDS(On)	漏源电压（Vdss）	连续漏极电流（Id）@ 25°C	引脚数	电容	开启时间	额定功率	输入电容	开通/关断时间（典型值）	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	栅极触发电压 Vgt (最大)	极性	结工作温度	最大功耗	冷却的封装	热阻	自然散热热阻	封装形式	材料表面处理	工作温度
NTE3323 Transistor; Bipolar; N-Channel; 1200 V; 25 ADC; 50 A @ 1 ms; + 20 V; ? degC Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 25A 3-Pin IGBT N-CHANNEL ENHANCEMENT 1200V IC=25AMP TO-3P CASE HIGH SPEED SWITCH NTE Electronics	10	1: ¥217.60	N-Channel	-	-	1200 V	25 A	-	-	-	-	-	-	3200 pF	0.40 μs (Typ.)	200 W	3200 pF (Typ.)	0.80 μs (Typ.)	3 V	± 20 V	N-Channel	+150 °C	-	-	-	-	-	-	-
NTE3322 Transistor; Bipolar; N-Channel; 900 V; 60 ADC; 120 A @ 1 ms; + 25 V; ? degC Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin IGBT N-CHANNEL ENHANCEMENT 900V IC=60A TO-3P CASE HIGH SPEED SWITCH NTE Electronics	10	1: ¥217.60	N-Channel	-	-	900 V	60 A	-	-	-	-	-	-	5300 pF	0.35 μs (Typ.)	200 W	5300 pF (Typ.)	0.50 μs (Typ.)	2.4 V	± 25 V	N-Channel	+150 °C	-	TO-264VAR	0.625 °C⁄W (Junction to Case)	0.625 °C/W	-	-	-
3 NTE2387 MOSFET; Power; N-Channel; 2.7 Ohms (Typ.); 800 V (Min.); 800 V; 4 A @ 25 degC Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 MOSFET, N CHANNEL, 800V, 4A, TO-220 POWER MOSFET N-CHANNEL 800V ID=4A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE NTE Electronics	10	1: ¥114.3624	:N Channel	85412900	0.005	-	-	:10V	:3V	:2.7ohm	:800V	:4A	:3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	:125W	-	-	-	:TO-220	:-	:150°C
3 NTE2396 MOSFET; Enhancement mode; N-Channel; 0.077 Ohm (Max.); 100 V (Min.); 28 A Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 ENHANCEMENT MODE N-CH MOSFET, 100V, 28A, TO-220 POWER MOSFET N-CHANNEL 100V ID=28A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MOD NTE Electronics	50	1: ¥40.664	:N Channel	85412900	0	-	-	:10V	:2V	:0.077ohm	:100V	:28A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NTE3320 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P SINGLE IGBT, 600V, 50A NTE ELECTRONICS	10	1: ¥183.192	:IGBT	85412900	0.023	:2V	:50A	-	-	-	-	-	:3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	:200W	-	-	-	-	-	-
NTE2989 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 N CH MOSFET, 600V, 10A, TO-220VAR NTE ELECTRONICS	10	1: ¥65.824	:N Channel	85412900	0.002	-	-	:10V	:4V	:1ohm	:600V	:10A	:3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-