Micron Technology, Inc.- 通用定时器

美光科技股份有限公司是全球领先的半导体存储器与存储解决方案提供商，总部位于美国爱达荷州博伊西市。公司成立于1978年，四十余年来始终致力于DRAM、NAND闪存及NOR闪存的研发与制造。美光的产品线涵盖高性能内存、固态硬盘、多芯片封装及托管型NAND等，为云数据中心、人工智能、移动终端、汽车电子及工业物联网等关键领域提供核心器件。在消费市场，美光通过旗下英睿达（Crucial）品牌为个人电脑和服务器提供内存及固态硬盘升级方案。美光以其先进的制程工艺著称，如1α纳米级别DRAM和176层堆叠NAND闪存，持续提升存储密度与能效。作为全球半导体行业的领军者，美光在DRAM市场稳居全球前三，在NAND闪存领域亦位列前茅。公司拥有超过4万项专利，研发投入巨大，制造网络遍布美国、亚洲及欧洲。美光股票以代码MU在纳斯达克上市交易，不断推动技术创新，助力全球数字化转型。

通用定时器 - 型号列表

共 179 个型号

制造商零件编号	库存	标准包装数量	封装形式	工作温度	时钟速率	额定电压	元件数量	核心数/总线宽度	密度	主要用途	制造商全称	子类别	逻辑单元/单元数量	模块/板类型	宽度	安装类型	总长度	外壳尺寸-插件	印刷电路板数量	RoHS	转速	存储器容量	存储器类型	标准封装名称	引脚样式	包装数量	位数	最小供电电压	包装方式	最小起订量	单位包装	最大额定电流	共模瞬态抗扰度（最小）	数据速率	调制方式	数据速率（最大）	最大频率	最小输入电压	电源电压（最大）	导体类型	类型	片内RAM（通道数×位宽）	卡标准	自行车数量（最大）	其他规格	设备部件号	调制或协议	欧盟RoHS
MT18LSDT12872AG-13EC1 DRAM Module SDRAM 1Gbyte 168UDIMM Tray MODULE SDRAM 1GB 168DIMM micron	-	Trays	168DIMM	0 to 65 °C	133 MHz	3.3 V	18	72 Bit	1 GB	DRAM Module	128Mx72	SDRAM	512 Mb	168UDIMM	-	-	-	-	-	Contains lead / RoHS non-compliant	133MHz	1GB	SDRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18LSDT1672G-10EC2 DRAM Module SDRAM 128Mbyte 168RDIMM Tray micron	-	Trays	168DIMM	0 to 70 °C	100 MHz	3.3 V	18	72 Bit	128 MB	DRAM Module	16Mx72	SDRAM	64 Mb	168RDIMM	4(Max)	Socket	133.5(Max)	43.31(Max)	168	-	-	-	-	DIMM	No Lead	DIMM	168	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18LSDT3272AG-10EG1 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168UDIMM Tray micron	-	Trays	168DIMM	0 to 65 °C	100 MHz	3.3 V	18	72 Bit	256 MB	DRAM Module	32Mx72	SDRAM	128 Mb	168UDIMM	3.99(Max)	Socket	133.5(Max)	35.05(Max)	168	-	-	-	-	DIMM	No Lead	UDIMM	168	3.6	Tray	-	-	1278	Commercial	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18LSDT3272G-10EG2 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168RDIMM Tray 256MB 32MX72 SDRAM MODULE DIMM 3.3V micron	-	Trays	168DIMM	0 to 70 °C	100 MHz	3.3 V	18	72 Bit	256 MB	DRAM Module	32Mx72	SDRAM	128 Mb	168RDIMM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1	0	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18LSDT3272G-133G2 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168RDIMM Tray 256MB 32MX72 SDRAM MODULE DIMM 3.3V micron	-	Trays	168RDIMM	0 to 55 °C	133 MHz	3.3 V	18	72 Bit	256 MB	DRAM Module	32Mx72	SDRAM	128 Mb	168RDIMM	4(Max)	Socket	133.5(Max)	43.31(Max)	168	-	-	-	-	DIMM	No Lead	RDIMM	168	3.6	Tray	1	0	2700	Commercial	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18LSDT6472DG-133B1 DRAM Module SDRAM 512Mbyte 168RDIMM Tray micron	-	Trays	168RDIMM	0 to 70 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18VDDT6472DG-202B1 DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 184RDIMM Tray micron	-	Trays	184RDIMM	0 to 70 °C	200 MHz	2.5 V	18	72 Bit	512 MB	DRAM Module	64Mx72	DDR SDRAM	256 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18VDDT6472G-265B3 DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 184RDIMM Tray micron	-	Trays	184RDIMM	0 to 70 °C	266 MHz	2.5 V	18	72 Bit	512 MB	DRAM Module	64Mx72	DDR SDRAM	256 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT36LSDT12872G-13ED2 DRAM Module SDRAM 1Gbyte 168RDIMM Tray 1GB 128MX72 SDRAM MODULE DIMM 3.3V MODULE SDRAM 1GB 168DIMM micron	-	Trays	168RDIMM	0 to 65 °C	133 MHz	3.3 V	36	72 Bit	1 GB	DRAM Module	128Mx72	SDRAM	256 Mb	-	8.13(Max)	Socket	133.5(Max)	43.31(Max)	168	Contains lead / RoHS non-compliant	133MHz	1GB	SDRAM	-	-	-	-	3.3	Tray	1	0	-	-	72	168RDIMM	5.4	133	3	3.6	No Lead	DRAM Module	256M	SDRAM	2466	Commercial	RDIMM	36	-
MT4LSDT1664LHG-133D1 DRAM Module SDRAM 128Mbyte 144SODIMM Tray micron	-	Trays	144SODIMM	0 to 65 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT4LSDT864HG-133G2 DRAM Module SDRAM 64Mbyte 144SODIMM Tray 64MB 8MX64 SDRAM MODULE SODIMM 3.3V MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM micron	-	Trays	144SODIMM	0 to 65 °C	133 MHz	3.3 V	4	64 Bit	64 MB	DRAM Module	8Mx64	SDRAM	128 Mb	144SODIMM	3.8(Max)	Socket	67.72(Max)	25.53(Max)	144	Contains lead / RoHS non-compliant	133MHz	64MB	SDRAM	DIMM	No Lead	SODIMM	144	3.6	Tray	1	0	600	Commercial	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Compliant
MT8LSDT3264AG-10ED2 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168UDIMM Tray micron	-	Trays	168UDIMM	0 to 70 °C	100 MHz	3.3 V	8	64 Bit	256 MB	DRAM Module	32Mx64	SDRAM	256 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT8LSDT3264HI-133C2 256MB 32MX64 SYNCH DRAM MODULE IND TEMP SODIMM 3.3V micron	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT8LSDT6432UG-8D2 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 100UDIMM Tray micron	-	Trays	100UDIMM	0 to 65 °C	125 MHz	3.3 V	8	32 Bit	256 MB	DRAM Module	64Mx32	SDRAM	256 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT9LSDT1672G-13EG2 DRAM Module SDRAM 128Mbyte 168RDIMM Tray MODULE SDRAM 128MB 168DIMM micron	-	Trays	168DIMM	0 to 55 °C	133 MHz	3.3 V	9	72 Bit	128 MB	DRAM Module	16Mx72	SDRAM	128 Mb	168RDIMM	-	-	-	-	-	Contains lead / RoHS non-compliant	133MHz	128MB	SDRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT16LSDT6464AGY-133C2 512MB 64MX64 SYNCH DRAM MODULE PBF DIMM 3.3V NON BUF micron	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18LSDT3272AG-133B1 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168UDIMM micron	-	Trays	168UDIMM	0 to 65 °C	133 MHz	3.3 V	18	72 Bit	256 MB	DRAM Module	32Mx72	SDRAM	128 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18VDDT3272AG-265A1 DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte 184UDIMM Tray micron	-	Trays	184DIMM	0 to 70 °C	266 MHz	2.5 V	18	72 Bit	256 MB	DRAM Module	32Mx72	DDR SDRAM	128 Mb	184UDIMM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT18VDDT6472G-265B1 DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 184RDIMM Tray micron	-	Trays	184RDIMM	0 to 70 °C	266 MHz	2.5 V	18	72 Bit	512 MB	DRAM Module	64Mx72	DDR SDRAM	256 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MT36LSDT12872G-133C2 DRAM Module SDRAM 1Gbyte 168RDIMM Tray micron	-	Trays	168RDIMM	0 to 65 °C	133 MHz	3.3 V	36	72 Bit	1 GB	DRAM Module	128Mx72	SDRAM	256 Mb	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Micron Technology, Inc.- 通用定时器

通用定时器 - 型号列表

封装形式

制造商全称

时钟速率

元件数量

密度

模块/板类型

逻辑单元/单元数量

宽度

包装数量

存储器容量

核心数/总线宽度

工作温度

外壳尺寸-插件

最大额定电流

额定电压

子类别

总长度

位数

印刷电路板数量

最小供电电压