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M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.
大功率分立半导体模块

M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.- 大功率分立半导体模块

M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.（简称MACOM）是全球领先的高性能模拟射频、微波和毫米波半导体产品供应商。公司创立于1950年（前身为Microwave Associates），总部位于美国马萨诸塞州洛厄尔。MACOM的产品广泛应用于高速光纤、卫星、雷达、有线及无线网络、有线电视、汽车、工业、医疗和移动设备等多个市场。作为半导体行业的支柱企业，MACOM拥有超过60年的深厚行业经验，是客户从射频到光应用领域的真正合作伙伴。公司提供丰富的标准与定制产品组合，包括器件、集成电路、组件、模块和子系统，覆盖38条产品线、超过3000种产品。重点产品系列涵盖砷化镓和氮化镓基功率放大器、低噪声放大器、混频器、射频开关、二极管，以及光通信用跨阻放大器和时钟数据恢复芯片等。MACOM在射频和微波领域具有卓越的技术实力，被公认为高性能模拟半导体的核心厂商。其业务遍及全球，在北美、欧洲、亚洲和澳大利亚设有研发中心、晶圆制造、封装测试和运营设施。公司已通过ISO9001国际质量管理体系和ISO14001环境管理体系认证，并通过直销、授权代表和主要分销商组成的销售网络服务全球客户。凭借持续创新和可靠品质，MACOM在通信基础设施、航空航天与国防等关键市场保持着稳固的行业地位。

大功率分立半导体模块 - 型号列表

共 30 个型号

制造商零件编号	库存	价格	安装类型	工作温度	类型	其他名称	标准包装数量	RoHS	增益	频率	晶体管类型	输出电流	包装方式	封装形式	抗辐射加固	栅极触发电压 Vgt (最大)	位数	结工作温度	额定输出功率	测试电压	额定电压	最大额定电流	产品	漏源电压（Vdss）	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	安装样式	配置	供应商器件封装	通道类型	电流传输比（最小）	输入电容值	可用频率范围（通信协议）	直流电阻（DCR）- 串联	初始电阻（最小）	冷却的封装	已删除	额定寿命	最大栅源电压 Vgs	击穿电压	峰值脉冲电流（10/1000µs）	工厂包装数量	1dB压缩点	输出类型	噪声系数	供电电压	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	连续漏极电流（Id）@ 25°C	技术	应用	制造商全称	电路数
MA47208-114 SWITCH, SPST, STRIPLINE PIN DIODE SWITCH MODULE Diode PIN Attenuator/Switch 1KV 2-Pin ODS-114 m/a-com technology solutions	-		Stud	Military	Attenuator/Switch	-	-	-	-	-	-	-	-	-	No	1000 V	2	150C	-	-	-	-	-	-	-	-	Single	-	-	-	1.3 pF	X	0.3@100mA ohm	0.4@50mA ohm	ODS-114	Compliant	1.3 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF140 RF FET HI PWR SOE FLANGE FET RF N-CH 28V 150W 211-11 m/a-com technology solutions	23	1: ¥539.784	Screw	N/A to 200 °C	-	1465-1149	Bulk	Lead free / RoHS Compliant	6dB ~ 15dB	30MHz ~ 150MHz	N-Channel	250mA	*	4Case 211-11	-	-	-	-	150W	28V	65V	16A	-	-	-	-	-	*	Enhancement	-	-	-	-	-	-	-	-	±40 V	65 V	16 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
V23990-P544-A2> MCMV23990-P544-A20-PM IGBT MODULE m/a-com technology solutions	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
V23990-P840-A4> MCMV23990-P840-A48-PM IGBT MODULE_TR_RO m/a-com technology solutions	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
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V23990-P769-A-> MCMV23990-P769-A-PM POWER MODULE m/a-com technology solutions	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MAAM-009455-TR1000 PUSH PULL CATV AMPLIFIER AMPLIFIER,PUSH-PULL,4MMPQFN-20LD Transistors RF JFET 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB RF JFET Transistors 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB m/a-com technology solutions	1000	1000: ¥45.8082	Surface Mount	- 40 C to + 85 C	GaAs MESFET	1465-1275-2	1,000	Lead free / RoHS Compliant	20.5 dB	1 GHz	MESFET	325mA	Tape & Reel (TR)	20-VFQFN Exposed Pad	-	-	-	-	-	-	-	-	RF JFET	8 V	375 mA	SMD/SMT	-	20-QFN (4x4)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1000	26 dBm	Differential	5.5 dB	8V	8 V	375 mA	GaAs	CATV	MACOM	2
MAGX-001214-250L00 Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB TRANSISTOR,GAN,250W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB Trans JFET 8.8A GaN HEMT 3-Pin M/A-COM Technology Solutions	10	15: ¥4,318.00	Screw	- 40 C to + 95 C	GaN SiC HEMT	1465-1087	5	RoHS Compliant	17.6dB	1.2GHz ~ 1.4GHz	HEMT	250mA	Bulk	Cu/Mo/Cu flanged ceramic	No	- 8 V	3	95C	250W	50V	65V	9A	RF JFET	175 V	8 A	SMD/SMT	-	-	-	5 S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MAGX-002731-180L00 Transistors RF GaAs 2.7-3.1GHz 50Volt 180W Pk Gain 11.6dB FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ Transistors RF JFET 2.7-3.1GHz 50Volt 180W Pk Gain 11.6dB Trans JFET N-CH GaN HEMT 3-Pin M/A-COM Technology Solutions	10	16: ¥4,433.60	Screw	- 40 C to + 95 C	GaAs HEMT	1465-1093	5	RoHS Compliant	11.2dB	2.7GHz ~ 3.1GHz	HEMT	500mA	Bulk	Cu/Mo/Cu flanged ceramic	No	- 8 V	3	95C	180W	50V	65V	500mA	RF JFET	175 V	10 A	SMD/SMT	Single	-	N	5 S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.- 大功率分立半导体模块

大功率分立半导体模块 - 型号列表

类型

工作温度

其他名称

增益

频率

安装类型

标准包装数量

额定输出功率

晶体管类型

输出电流

最大额定电流

包装方式

封装形式

漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）

栅极触发电压 Vgt (最大)

位数

结工作温度

RoHS

测试电压

供应商器件封装

通道类型

漏源电压（Vdss）