Integrated Silicon Solution, Inc.- 精密电阻网络

Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）是一家无晶圆厂半导体公司，1988年成立，总部位于美国加州圣克拉拉。公司专注设计、开发和销售高性能集成电路，主打汽车、通信、数字消费及工业/医疗/军事四大市场。核心产品涵盖高速与低功耗SRAM、中低密度DRAM、NOR闪存以及高性能模拟和混合信号IC。SRAM包括IS61、IS64系列的异步、同步及低功耗产品；DRAM以IS42、IS45系列的SDRAM、DDR和移动DRAM为代表。NOR闪存有IS25等系列，面向代码存储应用。模拟产品线提供LED驱动、音频放大器等方案。ISSI采用0.25微米及更先进工艺，与台积电、联电、特许半导体等代工巨头紧密合作。公司长期稳定供应存储器，与思科、诺基亚、摩托罗拉等电子巨头建立了深厚合作关系。在汽车级存储器领域，ISSI位居前列，在SRAM和低密度DRAM利基市场占据显著份额。其全球销售网络持续为高增长市场提供高性价比、高可靠性的半导体产品。

精密电阻网络 - 型号列表

共 5 个型号

制造商零件编号	库存	价格	抗辐射加固	时钟速率	存取时间	供电电压	最小供电电压	安装类型	冷却的封装	位数	类型	密度	制造商全称	总线连接	工作温度	输出电流	已删除	标准封装名称	欧盟RoHS	额定电压	最大额定电流	共模瞬态抗扰度（最小）	宽度	引脚样式	总长度	包装数量	外壳尺寸-插件	核心数/总线宽度	地址数量	印刷电路板数量	包装方式
IS43R16160B-5TL DRAM 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II ISSI	1236	1: ¥19.04	No	200 MHz	0.7 ns	2.5 V	2.3 V	Surface Mount	TSOP-II	66	DDR SDRAM	268435456 Bit	16Mx16	15 b	0C to 70C	290 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IS42SM16160D-7BLI DRAM 256M (16Mx16) 143MHz Mobile SDRAM 3.3v DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA ISSI	10	168: ¥55.692	No	143 MHz	8/5.4 ns	3.3 V	3 V	Surface Mount	BGA	4	Mobile SDRAM	268435456 Bit	16Mx16	15 b	-40C to 85C	110 mA	Compliant	BGA	Compliant	3	110	Industrial	8	Ball	13	TFBGA	0.8(Max)	16	15	54	-
IS42S32400D-6TL-TR DRAM 128M (4Mx32) 166MHz SDRAM, 3.3v DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R ISSI	3000	1: ¥18.70	No	166 MHz	6.5/5.4 ns	3.3 V	3 V	Surface Mount	TSOP-II	86	SDRAM	134217728 Bit	4Mx32	14 b	0C to 70C	180 mA	Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tape and Reel
IS42VM16160D-8BLI DRAM 256M (16Mx16) 125MHz Mobile SDRAM 1.8v DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA ISSI	10	168: ¥56.916	No	125 MHz	9/6 ns	1.8 V	1.7 V	Surface Mount	TFBGA	4	Mobile SDRAM	268435456 Bit	16Mx16	15 b	-40C to 85C	115 mA	Compliant	BGA	Compliant	1.7	115	Industrial	8	Ball	13	TFBGA	0.8(Max)	16	15	54	-
IS46TR16128A-187FBLA1 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA Integrated Silicon Solution	-		No	1066 MHz	20 ns	1.5 V	1.425 V	Surface Mount	FBGA	96	DDR3 SDRAM	2147483648 Bit	128Mx16	17 b	-40C to 95C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Integrated Silicon Solution, Inc.- 精密电阻网络

精密电阻网络 - 型号列表

时钟速率

存取时间

输出电流

供电电压

最小供电电压

冷却的封装

位数

类型

密度

制造商全称

总线连接

工作温度

额定电压

最大额定电流