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Integrated Silicon Solution, Inc.

Integrated Silicon Solution, Inc.- 计数器IC

Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)是一家无晶圆厂半导体公司,1988年成立,总部位于美国加州圣克拉拉。公司专注设计、开发和销售高性能集成电路,主打汽车、通信、数字消费及工业/医疗/军事四大市场。核心产品涵盖高速与低功耗SRAM、中低密度DRAM、NOR闪存以及高性能模拟和混合信号IC。SRAM包括IS61、IS64系列的异步、同步及低功耗产品;DRAM以IS42、IS45系列的SDRAM、DDR和移动DRAM为代表。NOR闪存有IS25等系列,面向代码存储应用。模拟产品线提供LED驱动、音频放大器等方案。ISSI采用0.25微米及更先进工艺,与台积电、联电、特许半导体等代工巨头紧密合作。公司长期稳定供应存储器,与思科、诺基亚、摩托罗拉等电子巨头建立了深厚合作关系。在汽车级存储器领域,ISSI位居前列,在SRAM和低密度DRAM利基市场占据显著份额。其全球销售网络持续为高增长市场提供高性价比、高可靠性的半导体产品。

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计数器IC - 型号列表

10 个型号

供电电压

存储器容量

封装形式

转速

供应商器件封装

工作温度

标准包装数量

供电电流

时钟速率

存取时间

存储器类型

包装方式

系列

其他名称

类型

制造商全称

接口

存储器格式

输出电流

最小供电电压

密度

总线连接

工厂包装数量

制造商零件编号库存价格标准包装数量转速接口存储器容量存储器类型供电电压包装方式封装形式供应商器件封装存储器格式工作温度RoHS时钟速率存取时间供电电流安装样式核心数/总线宽度类型系列制造商全称抗辐射加固最小供电电压安装类型冷却的封装位数密度总线连接其他名称输出电流工厂包装数量最大额定电流
IS43TR16256AL-125KBL
2

IC DDR3 SDRAM 4GBIT 96FBGA DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

5571: ¥48.4161901600MT/sParallel4G (256M x 16)DDR3 SDRAM1.283 V ~ 1.45 VTray96-TFBGA96-BGARAM0°C ~ 95°CRoHS Compliant800 MHz255 ps261 mASMD/SMT16 bitDDR3IS43TR16256AL256 M x 16-------706-1207--77 mA
IS43TR16128AL-125KBL
2

IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96FBGA DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

491: ¥82.4841901600MT/sParallel2G (128M x 16)DDR3 SDRAM1.425 V ~ 1.575 VTray96-BGA96-BGARAM0°C ~ 95°CRoHS Compliant800 MHz13 ns285 mASMD/SMT16 bitDDR3IS43TR16128AL128 M x 16-------706-1201---
IS43TR16128A-15HBLI

DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA IC DDR3 2GB 96BGA DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM

ISSI

101: ¥83.232190667MHzParallel2 GBDDR3 SDRAM1.5 VTrayBGA-9696-TWBGA (9x13)RAM- 40 CRoHS Compliant666 MHz13 ns286 mASMD/SMT16 bitDDR3 SDRAMIS43TR16128A128 M x 16No1.425 VSurface MountFBGA962147483648 Bit17 b-140 mA--
IS43TR16128A-125KBLI

DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA IC DDR3 2GB 96BGA DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM

ISSI

101: ¥86.156190800MHzParallel2 GBDDR3 SDRAM1.5 VTrayBGA-9696-TWBGA (9x13)RAM- 40 CRoHS Compliant800 MHz13 ns330 mASMD/SMT16 bitDDR3 SDRAMIS43TR16128A128 M x 16No1.425 VSurface MountFBGA962147483648 Bit17 b-155 mA--
IS43TR16128AL-125KBLI

DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA IC DDR3 2GB 96BGA DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM

ISSI

101: ¥90.508190800MHzParallel2 GBDDR3 SDRAM1.5 VTrayBGA-9696-TWBGA (9x13)RAM- 40 CRoHS Compliant800 MHz13 ns285 mASMD/SMT16 bitDDR3 SDRAMIS43TR16128AL128 M x 16No1.283 VSurface MountFBGA962147483648 Bit17 b-155 mA--
IS43TR16256AL-125KBLI

DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.35V 96-Pin FBGA IC DDR3L 4GB 96BGA DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM

ISSI

8211: ¥102.816190800MHzParallel4G (256M x 16)DDR3 SDRAM1.35 VTray96-TFBGA96-TWBGA (9x13)RAM-40C to 95CRoHS Compliant1600 MHz20 ns261 mASMD/SMT16 bitDDR3 SDRAMIS43TR16256ALISSINo1.283 VSurface MountFBGA964294967296 Bit18 b--190-
IS46R16160D-6BLA1-TR

DRAM Automotive 256M,2.5V DDR1,64Mx8,166MHz IS46R16160D-6BLA1-TR IC DDR1 256M 166MHZ 60BGA

ISSI

102500: ¥37.0942,500166MHzParallel256M (16M x 16)DDR SDRAM2.3 V ~ 2.7 VReel60-TFBGA60-TFBGA (8x13)RAM-40°C ~ 85°CRoHS Compliant166 MHz6 ns220 mASMD/SMT16 bitDDR1IS46R16160DISSI---------2500-
IS25LQ080-JVLE

IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8VSOP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

101100: ¥5.2088100104MHzSPI Serial8M (1M x 8)FLASH2.3 V ~ 3.6 VTube8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-VVSOPFLASH-40°C ~ 105°C--------------------
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3

IC SRAM 1MB 10NS 44TSOP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

10270: ¥25.60213510nsParallel1M (64K x 16)SRAM - Asynchronous2.4 V ~ 3.6 V***RAM-40°C ~ 125°C--------------------
IS61LV25616AL-10LQLI

IC SRAM 4MBIT 10NS 44LQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

101: ¥28.01616010nsParallel4M (256K x 16)SRAM - Asynchronous3.135 V ~ 3.6 VTray44-LQFP44-LQFP (10x10)RAM-40°C ~ 85°C----------------Q8113741---
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