Infineon Technologies AG- DDR SDRAM存储芯片

英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）于1999年5月1日由西门子半导体部门独立并更名成立，总部位于德国慕尼黑。公司是全球领先的半导体解决方案提供商，核心业务涵盖汽车、工业、通信及消费电子领域。主要产品线包括功率器件（如CoolMOS、OptiMOS、CoolSiC、CoolGaN系列）、微控制器（AURIX、TRAVEO、XMC系列）、传感器（磁性传感器、压力传感器、雷达芯片）以及安全芯片（SLE 78、OPTIGA系列）等。英飞凌致力于应对能源效率、出行和安全三大社会核心挑战。公司在全球多个国家拥有制造基地和研发中心，构建了完整的产业链。英飞凌在汽车电子和功率半导体领域居于市场领导地位，是全球最大的汽车半导体供应商之一。其企业口号为'永不停止思考'，彰显持续创新的精神。在中国，英飞凌曾投资成立奇梦达生产内存产品，并与本地代理商广泛合作。凭借先进的工艺技术和系统级方案，英飞凌不断推动智能化和绿色电子系统发展。

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

共 2,736 个型号

制造商零件编号	库存	工作温度	标准包装数量	封装形式	密度	额定电压	地址数量	定时调节方式	架构	接口	主要材料	字容量	包装方式	安装位置	扇区大小	存储器架构	I/O 数量	端口数	RoHS	机械寿命	供电电压	制造商全称	射频系列/标准	数据速率	工厂包装数量	存取时间	最小供电电压	位数	串行接口	抗辐射加固	输出电流	双向通道数	连接器护套颜色	安装类型	冷却的封装	已删除	可编程性	存储器格式	总线连接	结工作温度	标准封装名称	时钟速率	最大额定电流	每元件位数	共模瞬态抗扰度（最小）	引脚样式	包装数量
CS7132ATT SRAM Infineon Technologies AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Reel	-	-	-	-	-	RoHS Compliant	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CS5701AT SRAM CS5701AT Infineon Technologies AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tray	-	-	-	-	-	No	Obsolete	-	-	-	-	260	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
S29AL032D90TAI040 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP Tray Infineon Technologies AG	-	-40C to 85C	-	-	33554432 Bit	-	-	-	-	Parallel	NOR	4M/2M word	Tray	-	-	-	-	-	-	-	3/3.3 V	-	-	-	-	90 ns	2.7 V	48	-	No	35 mA	Asynchronous	Bottom	Surface Mount	TSOP	Not Compliant	Yes	8/16 b	22/21 b	85C	-	-	-	-	-	-	-
CG7311AM SRAM CG7311AM Infineon Technologies AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tray	-	-	-	-	-	RoHS Compliant	Obsolete	-	-	-	-	136	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM29LV160DB-120EIT NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 120ns 48-Pin TSOP T/R Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Tape & Reel	48TSOP	16 Mb	3\|3.3 V	21/20 Bit	Asynchronous	Sectored	Parallel	NOR	-	-	Bottom	8Kbyte x 2\|16Kbyte x 1\|32Kbyte x 1\|64Kbyte x 31	Asymmetrical	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM41DL3224GB70I Combo Mem 2Mx16/4Mx8 Flash + 256Kx16/512Kx8 SRAM 3V 73-Pin FBGA Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Trays	73FBGA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	3 V	2Mx16/4Mx8 Flash + 256Kx16/512Kx8 SRAM	Am41DL3224G	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM42DL1612DT85I Combo Mem 1Mx16/2Mx8 Flash + 128Kx16 SRAM 3V 69-Pin FBGA Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Trays	69FBGA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	3 V	1Mx16/2Mx8 Flash + 128Kx16 SRAM	Am42DL1612D	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM42DL1644DT85I Combo Mem 1Mx16/2Mx8 Flash + 256Kx16 SRAM 3V/3.3V 69-Pin FBGA Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Trays	69FBGA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	3\|3.3 V	1Mx16/2Mx8 Flash + 256Kx16 SRAM	Am42DL1644D	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CY7C1310V18-200BZC SRAM Chip Sync Dual 1.8V 16M-Bit 2M x 8 0.38ns 165-Pin FBGA Infineon Technologies AG	-	0 to 70 °C	Bulk	165FBGA	16 Mb	1.8 V	20 Bit	Synchronous	Pipelined	-	-	2 M	-	-	-	-	8 Bit	2	-	-	-	-	-	QDR	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CY7C1312V18-133BZC SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.5ns 165-Pin FBGA Infineon Technologies AG	-	0 to 70 °C	Trays	165FBGA	18 Mb	1.8 V	19 Bit	Synchronous	Pipelined	-	-	1 M	-	-	-	-	18 Bit	2	-	-	-	-	-	QDR	-	0.5	1.9	165	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	BGA	133	580	18	Commercial	Ball	FBGA
CG7163AM SRAM Infineon Technologies AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tray	-	-	-	-	-	No	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM29LV008DT-90EC 8M (1MX8) 3V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP40, COM Infineon Technologies AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CY7C1018CV33-8VC SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 8ns 32-Pin SOJ Infineon Technologies AG	-	0 to 70 °C	Bulk	32SOJ	1 Mb	3.3 V	17 Bit	Asynchronous	-	-	-	128 K	-	-	-	-	8 Bit	1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CY7C1069AV33-15ZI 16MB- (2MX8) FAST ASYNCH SRAM 3.3V TSOP II 54 Infineon Technologies AG	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CY7C1320V18-200BZC SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.38ns 165-Pin FBGA Infineon Technologies AG	-	0 to 70 °C	Bulk	165FBGA	18 Mb	1.8 V	19 Bit	Synchronous	Pipelined	-	-	512 K	-	-	-	-	36 Bit	1	-	-	-	-	-	DDR	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM29F400BT-55EF/T NOR Flash Parallel 5V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP T/R Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Tape & Reel	48TSOP	4 Mb	5 V	19/18 Bit	Asynchronous	Sectored	Parallel	NOR	-	-	Top	8Kbyte x 2\|16Kbyte x 1\|32Kbyte x 1\|64Kbyte x 7	Asymmetrical	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM29F002NBB-120JC NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K x 8bit 120ns 32-Pin PLCC Infineon Technologies AG	-	0 to 70 °C	Rail / Tube	32PLCC	2 Mb	5 V	18 Bit	Asynchronous	Sectored	Parallel	NOR	-	-	Bottom	8Kbyte x 2\|16Kbyte x 1\|32Kbyte x 1\|64Kbyte x 3	Asymmetrical	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CYK001M16SCAU-70BAXIT SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 1M x 16 70ns 48-Pin FBGA T/R Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Tape & Reel	48FBGA	16 Mb	3 V	20 Bit	Asynchronous	-	-	-	1M	-	-	-	-	16 Bit	1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM29LV002BT-90EIT NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2Mbit 256K x 8bit 90ns 40-Pin TSOP T/R Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Tape & Reel	40TSOP	2 Mb	3\|3.3 V	18 Bit	Asynchronous	Sectored	Parallel	NOR	-	-	Top	8Kbyte x 2\|16Kbyte x 1\|32Kbyte x 1\|64Kbyte x 3	Asymmetrical	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AM29LV160MB100PCIT NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R Infineon Technologies AG	-	-40 to 85 °C	Tape & Reel	64Fortified BGA	16 Mb	3\|3.3 V	21/20 Bit	Asynchronous	Sectored	Parallel	NOR	-	-	Bottom	8Kbyte x 2\|16Kbyte x 1\|32Kbyte x 1\|64Kbyte x 31	Asymmetrical	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Infineon Technologies AG- DDR SDRAM存储芯片

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

封装形式

密度

字容量

地址数量

额定电压

标准包装数量

I/O 数量

供电电压

工作温度

扇区大小

制造商全称

射频系列/标准

RoHS

包装方式

工厂包装数量

存取时间

最小供电电压

位数

安装位置

架构

定时调节方式

数据速率

端口数