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GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Inc.- MOSFET模块

GeneSiC Semiconductor, Inc. 成立于2004年,总部位于美国弗吉尼亚州杜勒斯,是一家领先的碳化硅(SiC)功率半导体开发商和制造商。公司专注于高性能SiC分立器件和模块,面向电动汽车、工业电机驱动、航空航天和可再生能源系统等严苛应用领域。其产品线涵盖650V、1200V和1700V的SiC MOSFET、肖特基二极管、裸芯片及定制功率模块,均针对高效率、高温和高频工作优化。GeneSiC器件以其高鲁棒性、低开关损耗和卓越的性价比著称,成为高可靠性领域的优选方案。2023年初,公司被纳微半导体(Navitas Semiconductor)收购,整合后形成氮化镓与碳化硅的强强联合,加速了新一代宽禁带技术的普及。GeneSiC拥有超过100项SiC材料和器件设计专利,技术实力雄厚。公司在美国运营先进的制造和测试设施,确保严格的质量控制。它在全球SiC市场中占有重要地位,为多家一级汽车和工业客户提供服务。在被收购前,GeneSiC是少数具备从外延到封装成品一体化制造能力的独立SiC供应商之一。

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MOSFET模块 - 型号列表

5 个型号

配置

工厂包装数量

RoHS

包装方式

封装形式

制造商零件编号库存价格RoHS工厂包装数量包装方式封装形式制造商全称配置REACHESD保护最大额定电流反向关断电压(典型)标准包装数量FET类型FET特性最大功率额定功率晶体管类型导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs平均正向功率集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic导通电阻(最大)漏源电压(Vdss)漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)连续漏极电流(Id)@ 25°C安装类型安装样式供应商器件封装系列技术工作温度
GA03JT12-247
2

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A

GeneSiC Semiconductor

1161: ¥69.156RoHS Compliant30TubeTO-247-3GeneSiC SemiconductorSingle----30Silicon Carbide, Normally OffSuper Junction91W5 WN-Channel460 mOhm @ 3A5 W1200 V470 mOhms1200V (1.2kV)3 A3A (Tc) (95°C)Through HoleThrough HoleTO-247ABGA03SiC- 55 C
GA100SBJT12-FR4

BOARD EVAL DBL PULSE Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board

GeneSiC Semiconductor

101: ¥1,870.00RoHS Compliant-Bulk-GeneSiC Semiconductor------------------------
GA100JT12-227

TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor

GeneSiC Semiconductor

761: ¥1,367.276RoHS Compliant-Tube-GeneSiC Semiconductor------------------------
MBR200150CT

150V 200A Twin Tower Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)

genesic-semi

251: ¥358.36Yes25-Twin Tower-StandardYesNo200150-------------------
MBR200150CTR

150V 200A Twin Tower Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)

genesic-semi

-Yes25-Twin Tower-ReverseYesNo200150-------------------
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