GeneSiC Semiconductor, Inc. 成立于2004年，总部位于美国弗吉尼亚州杜勒斯，是一家领先的碳化硅（SiC）功率半导体开发商和制造商。公司专注于高性能SiC分立器件和模块，面向电动汽车、工业电机驱动、航空航天和可再生能源系统等严苛应用领域。其产品线涵盖650V、1200V和1700V的SiC MOSFET、肖特基二极管、裸芯片及定制功率模块，均针对高效率、高温和高频工作优化。GeneSiC器件以其高鲁棒性、低开关损耗和卓越的性价比著称，成为高可靠性领域的优选方案。2023年初，公司被纳微半导体（Navitas Semiconductor）收购，整合后形成氮化镓与碳化硅的强强联合，加速了新一代宽禁带技术的普及。GeneSiC拥有超过100项SiC材料和器件设计专利，技术实力雄厚。公司在美国运营先进的制造和测试设施，确保严格的质量控制。它在全球SiC市场中占有重要地位，为多家一级汽车和工业客户提供服务。在被收购前，GeneSiC是少数具备从外延到封装成品一体化制造能力的独立SiC供应商之一。