Everspin Technologies, Inc.（简称Everspin）是一家从飞思卡尔半导体公司分离出来的独立公司，成立于2006年，总部位于美国亚利桑那州钱德勒市。公司是全球领先的磁性随机存储器（MRAM）开发商和制造商，在2006年推出了业界首款商用MRAM产品。Everspin的MRAM是业界最快的非易失性存储器，具有无限次写入耐久性、卓越的可靠性和超过10年的数据保存能力。公司提供超过100种分立式和嵌入式MRAM产品，支持并行和串行接口，广泛应用于数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通信、交通运输和航空电子等领域。Everspin采用轻晶圆厂模式，利用代工厂的标准CMOS晶圆，并在自有后端生产线加入专有的磁性工艺。第一代Toggle编程技术MRAM产品获得了多项行业奖项，构建了坚实的市场基础。下一代自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）利用自旋极化电流实现切换，可扩展到Gb级密度，支持持久性DRAM应用，并作为新型存储级内存解决方案。Everspin拥有超过600项有效专利和专利申请，其中许多是MRAM技术的基本和必要专利。公司致力于率先实现ST-MRAM产品的商业化，目标是成为业界首家量产供应商。Everspin凭借其独特的非易失、高速、高耐久性存储器技术，在关键任务数据记录、缓存和缓冲等领域确立了市场领先地位。