Broadcom Inc.- 分立IGBT

Broadcom Inc. 是一家全球技术领导者，设计、开发并提供广泛的半导体和基础设施软件解决方案。公司由安华高（Avago Technologies）与Broadcom Corporation于2016年合并成立，沿用Broadcom名称。其美国总部及主要运营基地位于加利福尼亚洲尔湾（Irvine），并在北美、亚洲和欧洲设有办事处和研究机构。产品组合涵盖无线与有线通信、网络、宽带、存储和工业市场。重点产品包括射频前端模块、Wi-Fi/蓝牙组合芯片、GPS/GNSS接收器、以太网交换机和PHY、光纤组件以及定制化ASIC。公司是智能手机、平板电脑、机顶盒、数据中心网络和宽带接入设备的主要供应商。Broadcom拥有行业内最广泛的知识产权组合之一，持有2,600多项美国专利和7,450多项专利申请，覆盖语音、视频、数据和多媒体传输。年收入超过250亿美元，位居全球顶级半导体公司之列，以创新和在消费与企业连接方案中的高市场份额而闻名。其产品践行“Connecting Everything®”的核心理念，连接万事万物。

分立IGBT - 型号列表

共 4 个型号

制造商零件编号	库存	价格	标准包装数量	RoHS	FET类型	FET特性	最大功率	元件数量	Vgs(th)（最大）@ Id	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	最大功耗	导通电阻（最大）	漏源电压（Vdss）	连续漏极电流（Id）@ 25°C	包装方式	安装类型	安装样式	封装形式	包装数量	位数	供应商器件封装	系列	通道类型	工作温度	其他名称	标准封装名称	欧盟RoHS	击穿电压	峰值脉冲电流（10/1000µs）	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	引脚样式	最大栅源电压 Vgs	抗辐射加固	下降时间	栅极类型	漏极类型	噪声系数	额定功率	额定输出功率	开通延迟时间	最大频率	输出功能	上升时间（典型）	晶体管类型	关断延迟时间	首抽头延迟	供电电压	输入电阻	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	漏电流（最大）	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	宽度	高度	长度	导体类型	引脚数	冷却的封装	尺寸/外形	包含封装	类型	功能	极性	卡标准	配置	模块容量
MIC94030YM4 TR Trans MOSFET P-CH 13.5V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 MOSFET Dual P-Channel MOSFET (Lead Free) MIC94030 Series 16 V 1 Ohm Surface Mount TinyFET?P-Channel MOSFET - SOT-143-4 Broadcom Inc.	10	3000: ¥3.944	3,000	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET P-Channel, Metal Oxide	Standard	568mW	1	1.4V @ 250µA	450 mOhm @ 100mA, 10V	568	1000@4.5V	16V	1A (Ta)	Tape and Reel	Surface Mount	SMD/SMT	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143	4	SOT-143	MIC94030	Enhancement	150	576-2936-1	SOT-143	Compliant	13.5	1	100pF @ 12V	Gull-wing	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 MIC94053YC6 TR Trans MOSFET P-CH 6V 2A 6-Pin SC-70 T/R MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 MOSFET 1.8V-rated SC70-6 PFET w/Vgs pull-up - Lead Free Micrel MIC9405 系列 Si P沟道 MOSFET , 2 A, Vds=6 V, 6针 SC-70封装 Broadcom Inc.	675	5: ¥3.82	3,000	Compliant	MOSFET P-Channel, Metal Oxide	Standard	270mW	1	1.2V @ 250µA	84 mOhm @ 100mA, 4.5V	0.27 W	0.084 ohm	6V	2A (Ta)	Tape and Reel	Surface Mount	SMD/SMT	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-70	6	SC-70-6	MIC94053	P	- 40 C	576-2939-1	-	-	-	-	-	-	6 V	No	20 ns	-6	6	Not Required dB	270 W	Not Required dB	15 ns	Not Required MHz	增强	15 ns	P-Channel	60 ns	60 ns	6 V	180 mΩ	- 6 V	2 A	-6 V	Not Required %	2 A	1.35mm	1mm	2.2mm	Gull-wing	6	SOT-323	2.2 x 1.35 x 1mm	SC-70	Small Signal	Y	P	Small Signal	Single Quad Drain	Enhancement
MIC94031YM4 TR Trans MOSFET P-CH 13.5V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 MOSFET Dual P-Channel MOSFET (Lead Free) MIC94031 Series 16 V 1 Ohm Surface Mount TinyFET?P-Channel MOSFET - SOT-143-4 Broadcom Inc.	10	2000: ¥4.182	3,000	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET P-Channel, Metal Oxide	Standard	568mW	1	1.4V @ 250µA	450 mOhm @ 100mA, 10V	568	1000@4.5V	16V	1A (Ta)	Tape and Reel	Surface Mount	SMD/SMT	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143	4	SOT-143	MIC94031	Enhancement	150	576-1327-1	TO-253-AA	Compliant	13.5	1	100pF @ 12V	Gull-wing	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MIC94051YM4 TR Trans MOSFET P-CH 6V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP MOSFET 1.8V-rated reverse-blocking PFET - Lead Free Broadcom Inc.	10	2000: ¥3.162	3,000	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET P-Channel, Metal Oxide	Standard	568mW	1	1.2V @ 250µA	160 mOhm @ 100mA, 4.5V	568	160@4.5V	6V	1.8A (Ta)	Tape and Reel	Surface Mount	SMD/SMT	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143	4	SOT-143	MIC94051	Enhancement	150	-	SOT-143	Compliant	6	1.8	600pF @ 5.5V	Gull-wing	-6	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Broadcom Inc.- 分立IGBT

分立IGBT - 型号列表

系列

其他名称

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

导通电阻（最大）

连续漏极电流（Id）@ 25°C

标准封装名称

RoHS

最大功率

Vgs(th)（最大）@ Id

击穿电压

最大功耗

漏源电压（Vdss）

峰值脉冲电流（10/1000µs）

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds

封装形式

包装数量

位数

供应商器件封装

通道类型

工作温度

最大栅源电压 Vgs