Analog Devices, Inc.- IGBT

Analog Devices, Inc.（简称ADI）是一家全球领先的半导体公司，成立于1965年，总部位于美国马萨诸塞州诺伍德市。公司专注于高性能模拟、混合信号和数字信号处理（DSP）集成电路的设计与制造。ADI连接物理与数字世界，提供涵盖检测、测量、解析、连接和电源管理的完整解决方案。其产品线极为丰富，主要包括数据转换器（模数/数模转换器）、放大器、射频IC、电源管理芯片、MEMS传感器以及Blackfin和SHARC系列DSP处理器。射频产品覆盖从高性能功能模块到全集成的ISM频段和宽带单芯片收发器，关键产品包括PLL频率合成器、TruPwr RMS功率检测器、低噪声放大器、混频器和调制解调器。ADI服务于全球超过12.5万家客户，遍及工业、汽车、通信、医疗和消费电子领域。作为业界公认的数据转换和信号处理技术领导者，公司在精密模拟市场占据显著份额。ADI在纳斯达克上市（代码ADI），是标准普尔500指数成分股，全球拥有逾2.6万名员工，以创新、业绩和卓越为文化支柱，持续引领技术发展。

IGBT - 型号列表

共 13 个型号

制造商零件编号	库存	零件状态	FET特性	Vgs(th)（最大）@ Id	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	漏源电压（Vdss）	连续漏极电流（Id）@ 25°C	包装方式	安装类型	封装形式	供应商器件封装	系列	技术	工作温度	资质认证	等级	FET类型	最大栅源电压 Vgs	最大功耗	驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）	制造商	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	基础产品编号	最大功率	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	制造商全称	配置
3N163 TO-72 4L ROHS P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	5V @ 10µA	250Ohm @ 100µA, 20V	40 V	50mA	Bulk	Through Hole	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can	TO-72-4	-	MOSFET (Metal Oxide)	-	-	-	P-Channel	-6.5V	375mW	20V	Linear Integrated Systems, Inc.	3.5 pF @ 15 V	3N163	-	-	-	-
SD211DE TO-72 4L ROHS HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	1.5V @ 1µA	45Ohm @ 1mA, 10V	30 V	50mA (Ta)	Bulk	Through Hole	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can	TO-72-4	SD211	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 125°C (TJ)	-	-	N-Channel	+25V, -300mV	300mW (Ta)	5V, 25V	Linear Integrated Systems, Inc.	-	-	-	-	-	-
SD214DE TO-72 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	1.5V @ 1µA	45Ohm @ 1mA, 10V	20 V	50mA (Ta)	Bulk	Through Hole	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can	TO-72-4	SD214DE	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 125°C (TJ)	-	-	N-Channel	±40V	300mW (Ta)	5V, 25V	Linear Integrated Systems, Inc.	-	-	-	-	-	-
SD5000I S/B DIP 16L ROHS QUAD HIGH SPEED N-CHANNEL LATERA TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	1.5V @ 1µA	70Ohm @ 1mA, 5V	20V	50mA	Tube	Through Hole	16-DIP (0.300", 7.62mm)	16-DIP	SD5000	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	500mW	-	Linear Integrated Systems, Inc.	4 N-Channel
SST215 SOT-143 4L ROHS HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	1.5V @ 1µA	50Ohm @ 1mA, 10V	20 V	50mA (Ta)	Tape & Reel (TR)	Surface Mount	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143-4	SST215	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 125°C (TJ)	-	-	N-Channel	+30V, -25V	300mW (Ta)	5V, 25V	Linear Integrated Systems, Inc.	-	-	-	-	-	-
SD5000N PDIP 16L ROHS MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 16DIP TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	1.5V @ 1µA	70Ohm @ 1mA, 5V	20V	50mA (Ta)	Tube	Through Hole	16-DIP (0.300", 7.62mm)	16-DIP	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	-	-	-	-	-	-	SD5000	500mW (Ta)	-	Linear Integrated Systems, Inc.	4 N-Channel
3N163 SOT-143 4L ROHS TE Connectivity Ltd.	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SST211 SOT-143 4L ROHS TE Connectivity Ltd.	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SST210 SOT-143 4L ROHS TE Connectivity Ltd.	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SD213DE TO-72 4L TE Connectivity Ltd.	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SST213 SOT-143 4L ROHS TE Connectivity Ltd.	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SD210DE TO-72 4L ROHS TE Connectivity Ltd.	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SST214 SOT-143 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO TE Connectivity Ltd.	-	Active	-	1.5V @ 1µA	50Ohm @ 1mA, 10V	20 V	50mA (Ta)	Tape & Reel (TR)	Surface Mount	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143-4	SST214	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 125°C (TJ)	-	-	N-Channel	±40V	300mW (Ta)	5V, 25V	Linear Integrated Systems, Inc.	-	-	-	-	-	-

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Analog Devices, Inc.- IGBT

IGBT - 型号列表

系列

最大栅源电压 Vgs

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

漏源电压（Vdss）

包装方式

封装形式

供应商器件封装

FET类型

Vgs(th)（最大）@ Id

最大功耗

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）

连续漏极电流（Id）@ 25°C

安装类型

基础产品编号

工作温度

最大功率