Vishay/Siliconix 出品的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET
Vishay/Siliconix 推出新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET。 SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP 和 SiSA04DN 采用新的高密度设计以及 PowerPAK® SO-8 和 1212-8 封装，具有业界较低的导通电阻（4.5 V 时低至 1.35 mΩ）和较低的总栅极电荷。
Vishay 的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET 在芯片设计、晶圆加工和器件封装方面均进行了技术改进，为当今的电力电子系统设计人员带来了诸多优势。 与以前的器件相比，第四代产品的导通电阻与硅面积乘积减小了 60% 以上，能够实现业界最低的导通电阻，从而降低功耗并提高效率。
特性:
●TrenchFET® 第四代功率 MOSFET ●经过 100% Rg 和 UIS 测试 ●无卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定 ●符合 RoHS 指令 2002/95/EC应用:
●高功率密度 DC/DC 转换器、同步整流、同步降压转换器和 OR-ing 应用 ●典型终端产品，包括开关模式电源、稳压器模块 (VRM)、POL、电信模块、PC 和服务器芯天下提供几乎所有第四代 TrenchFET MOSFET系列产品。
| 型号 | 描述 |
|---|---|
| SIRA00DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V |
| SIRA02DP-T1-GE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V |
| SIRA04DP-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK |
| SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1212-8 |
| SIRA06DP-T1-GE3 | MOSF N CH 30V 40A SO8 PWR PK |
| SIRA10DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 |
| SIRA12DP-T1-GE3 | MOSF N CH 30V 25A SO8 PWR PK |
| SIRA14DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V D-S SO-8 |
| SIS476DN-T1-GE3 | MOSF N CH 30V 40A 1212-8 PWR PK |
| SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 |
By : sally
