IPDiA 的扁平式硅电容器是高度受限型应用的理想解决方案
IPDiA 的扁平式硅电容器是高度受限型应用的理想解决方案。 LPSC 非常适合于嵌入式技术、模块、系统级封装,或任何设计人员寻求最佳去耦特性的应用。 该硅电容器技术具有电容器集成功能(高达 250 nF/mm²),与钽电容器和 MLCC 相比,不仅尺寸小,而且可靠性高近 10 倍,并消除了破裂现象。 硅电容器技术还可在整个工作电压和温度范围实现极其稳定的电容值,并具有稳定的高绝缘电阻。 符合 RoHS 规范,兼容无铅回流焊接工艺。
特性:
●超扁平(高度 100 µm) ●高度稳定的电容值:1.温度 < ±0.5%(-55°C 至 +150°C) 3.电压 < 0.1%/V ●极其微小的电容老化损耗 ●在 0201 至 1812 封装尺寸中实现独有的高电容 ●高可靠性(FIT < 0.017 个零件/十亿小时) ●低至 100 pA 的低漏泄电流 ●低 ESL 和 ESR ●适用于无铅回流焊接应用:
●接触、非接触和双接口智能卡 ●RFID 应答器、标记和标签 ●MCM 和 SIP 堆叠 ●基于 MEMS 的低功耗传感器芯天下提供几乎所有LPSC 系列扁平式硅电容器系列产品。
| 型号 | 描述 |
|---|---|
| 935121423510 | CAP SIL LPSC 0201 10NF 100UFM |
| 935121424310 | CAP SIL LPSC 0402 100PF 100UFM |
| 935121424347 | CAP SIL LPSC 0402 470PF 100UFM |
| 935121424410 | CAP SIL LPSC 0402 1NF 100UFM |
| 935121424510 | CAP SIL LPSC 0402 10NF 100UFM |
| 935121424522 | CAP SIL LPSC 0402 22NF 100UFM |
| 935121424533 | CAP SIL LPSC 0402 33NF 100UFM |
| 935121424610 | CAP SIL LPSC 0402 100NF 100UFM |
| 935121425610 | CAP SIL LPSC 0603 100NF 100UFM |
| 935121427710 | CAP SIL LPSC 1206 1UFF 100UFM |
By : sally