HTSC 系列电容器在 -55°C 至 +200°C 整个温度范围具有高稳定性和小于 ±1% 的温度系数。
IPDiA 的耐高温硅电容器专为要求在高达 200°C 温度时保持高可靠性的应用而设计。 IPDIA 硅电容器的密度与基于 X7R 的电容器相当，性能与基于 COG/NP0 的电容器相同。 在 -55°C 至 +200°C 整个温度范围，HTSC 电容器具有市场上最高的稳定性和小于 ±1% 的温度系数。 IPDiA 技术的可靠性比同类电容器技术（例如钽电容器或 MLCC）高出 10 倍，且消除了破裂现象。 硅电容器技术还可在整个工作电压和温度范围内实现极其稳定的电容值，并具有稳定的高绝缘电阻。 这些硅电容器符合 RoHS 规范，并兼容无铅回流焊接工艺。
特性:
●扁平（高度 400 µm） ●低漏泄电流 ●在高达 200°C 时具有高稳定性 ●温度范围：-55°C 至 +200°C ●高度稳定的电容值：电压 < 0.1%/V、极其微小的电容老化损耗 ●高可靠性（FIT < 0.017 个零件/十亿小时） ●低至 100 pA 的低漏泄电流 ●低 ESL 和 ESR ●适用于无铅回流焊接应用：
●高可靠性应用 ●电池供电设备 ●超微型化 ●适用于嵌入式技术芯天下提供几乎所有HTSC 系列耐高温硅电容器系列产品。
| 型号 | 描述 |
|---|---|
| 935132423510 | CAP SIL HTSC 0201 10NF 400UFM |
| 935132424310 | CAP SIL HTSC 0402 100PF 400UFM |
| 935132424347 | CAP SIL HTSC 0402 470PF 400UFM |
| 935132424410 | CAP SIL HTSC 0402 1NF 400UFM |
| 935132424510 | CAP SIL HTSC 0402 10NF 400UFM |
| 935132424522 | CAP SIL HTSC 0402 22NF 400UFM |
| 935132424533 | CAP SIL HTSC 0402 33NF 400UFM |
| 935132424547 | CAP SIL HTSC 0402 47NF 400UFM |
| 935132424610 | CAP SIL HTSC 0402 100NF 400UFM |
| 935132425610 | CAP SIL HTSC 0603 100NF 400UFM |
| 935132426610 | CAP SIL HTSC 0805 100NF 400UFM |
| 935132427710 | CAP SIL HTSC 1206 1UFF 400UFM |
| 935132429733 | CAP SIL HTSC 1812 3.3UFF 400UFM |
By : sally
