EPC2007 100 V eGaN® FET

Efficient Power Conversion 的第二代 100 V eGaN® FET

EPC eGaN FET 的极高电子迁移率和低温度系数可实现极低的 RDS(ON)，同时其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低 QG 和零 QRR。 EPC2007 eGaN FET 是一款 1.6 mm² 100 VDS、6 A 器件，当栅极电压为 5 V 时，RDS(ON) 最大值为 30 mΩ，QG 最大值为 2.7nC。 与最先进的具有相同导通电阻的硅功率 MOSFET 相比，EPC2007 体积要小很多，而开关性能却高出数倍。 eGaN FET 性能优势能够得到体现的应用包括高速 DC/DC 电源、负载点转换器、D 类音频放大器以及硬开关和高频电路。

应用 • 高频率 DC-DC 转换• D 类音频 • 硬开关和高频电路

特性• 超高效率• 超低 RDS(ON)• 超小基底面 • 超低 QG

EPC2007 100 V eGaN® FET

By : 周婷婷