64 位 DDR3 SDRAM 模块

Swissbit 204 引脚 64 位 DDR3 小型双列直插式双倍数据速率同步 DRAM 模块

Swissbit 最近推出的 DRAM 模块是一款行业标准 204 引脚 8 字节 DDR3 SDRAM 小型双列直插式内存模块 (SO-DIMM)，按照 x64 高速 CMOS 内存阵列进行布置。 该模块使用内部配置的 8 存储体 DDR3 SDRAM 器件，通过双倍数据速率架构实现高速工作。 该 DDR3 SDRAM 模块采用差分时钟（CK 和 CK#）工作。 对 DDR3 SDRAM 模块的读取和写入访问为猝发式；访问从选定的存储单元开始，然后按照由程序确定的序列对由程序确定数量的存储单元进行连续存取。 猝发长度为 4 个或 8 个存储单元。 可以启用自动预充电功能，以便在猝发访问结束时启动自定时的行预充电。 DDR3 SDRAM 器件采用多存储体架构，支持并发操作以提供高有效带宽。 采用自刷新模式和省电的"掉电"模式。 所有输入和所有全驱动强度输出均兼容 SSTL_15 接口。

DDR3 SDRAM 模块具有串行存在检测 (SPD) 功能，该功能通过串行 EEPROM，使用标准 I2C 协议实现。 此非易失性存储器件包含 256 字节，前 128 字节由 SO-DIMM 制造商 (Swissbit) 用来标识模块类型、模块组织和多个时序参数。 后 128 字节可供最终用户使用。

特性：

●模块组织：双存储体 1G x 64

●VDD = 1.5 V ±0.075 V, VDDQ 1.5 V ±0.075 V

●1.5 V I/O（兼容 SSTL_15）

●采用集成式串行存在检测 (SPD) EEPROM 的片上 I2C 温度传感器

●镀金触点垫

●片内端接 (ODT) 和动态 ODT 提高了信号完整性

●PCB 和所有元件均依照 RoHS 兼容规范 [欧盟指令 2002/95/EC 有害物质限制法案 (RoHS)] 制造

●8 位预取架构

●DDR3 - SDRAM 元件 Samsung K4B4G0846B-HCH9

●512 Mx8 DDR3 SDRAM，采用 PG-TFBGA-78 封装

●可编程 CAS 延时、CAS 写延时、附加延时、猝发长度和猝发类型

●此模块的引脚和功能完全兼容 JEDEC PC3-12800 规范 和 JEDEC MO-268 标准

●刷新、 自刷新和掉电模式

●输出驱动器和 ODT 采用 ZQ 校准

●通过写入均衡和多功能寄存器 (MPR) 读取模式支持系统级时序校准

芯天下提供几乎所有64 位 DDR3 SDRAM 模块系列产品。

 

64 位 DDR3 SDRAM 模块

型号	描述
SGN08G64B3BB2SA-CCWRT	SDRAM DDR3 8GB 204 SO-DIMM

By : sally