Texas Instruments 的 MOSFET 可最大限度地降低功率转换应用中的损耗
Texas Instruments 的 CSD1850xQ5A 器件是 40 V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET，可最大限度地降低功率转换应用中的损耗。这些 MOSFET 适用于 DC-DC 转换、次级侧同步整流器和电池电机控制应用。
特性:
●超低的 Qg 和 Qgd ●低热阻 ●额定雪崩 ●无铅端子电镀、符合 RoHS 规范，且无卤素 ●SON 5 mm × 6 mm 塑料封装 ●逻辑电平应用:
●DC-DC 转换 ●次级侧同步整流器 ●电池电机控制芯天下提供几乎所有CSD18501Q5A NexFET 功率 MOSFET系列产品。
| 型号 | 包装 | 描述 |
|---|---|---|
| CSD18501Q5A | 卷带 (TR) | MOSFET N-CH 40V 8SON |
| 切带 (CT) | ||
| CSD18503Q5A | 卷带 (TR) | MOSFET N-CH 40V 8SON |
| 切带 (CT) | ||
| CSD18504Q5A | 卷带 (TR) | MOSFET N-CH 40V 8SON |
| 切带 (CT) |
By : sally
