NXP Semiconductors 的 RF 功率晶体管引领 2.3 - 2.4 GHz LTE 基站性能
NXP 的 DPD 高度友好型晶体管设计用于 LTE 基站，内置业界领先的第 7 代 LDMOS，可覆盖 2.3 至 2.4 GHz 的整个频率范围。 这些器件支持非对称 Doherty 设计，可达到 44% 的效率和 15 dB 增益。
NXP 作为 RF 功率器件的市场领导者，利用其坚固可靠的第 7 代 LDMOS 技术制造出这种针对 LTE 2.3 - 2.4 GHz 应用进行优化的 RF 功率晶体管。 这些陶瓷晶体管设计用于与非对称 Doherty 电路配合工作，提供同类最佳的效率。 在这种配置中，BLF7G24L(S)-100 用作主放大器，BLF7G24L(S)-140 用作峰值放大器。
两款器件均具有出色的热稳定性和低记忆效应。 因此，它们具有出色的数字预失真 (DPD) 功能。 这些器件还集成了 ESD 保护功能，符合关于限制使用危险物质的欧盟指令 2002/95/EC (RoHS)。
特性:
●通过高效率 Doherty 电路降低基站能耗 ●一致的器件性能有助于实现最高的良品率 ●经过现场验证的坚固性和可靠性 ●出色的热稳定性 ●低记忆效应，可轻松实现线性化芯天下提供几乎所有BLF7G24L 功率 LDMOS 晶体管系列产品。
| 型号 | 描述 |
|---|---|
| BLF7G24L-100,112 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A |
| BLF7G24LS-100,112 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502B |
| BLF7G24L-140,112 | TRANS LDMOS SOT502A |
| BLF7G24LS-140,112 | TRANS LDMOS SOT502B |
By : sally
