Vishay General Semiconductor 沟槽式 MOS 势垒肖特基 (TMBS®) 整流器。
Vishay 获得专利的沟槽式 MOS 势垒肖特基 (TMBS®) 整流器采用 7 种额定电压(范围为 45 V 至 200 V)和多种不同封装选项,可满足广泛的系统要求。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 具有诸多优势。 当工作电压上升到 45 V 及以上时,平面肖特基整流器往往会在很大程度上失去其快速开关和低正向压降的优势。 获得专利的 TMBS 结构可有效解决这一问题,方法是减少注入到漂移区的少数载流子,从而最大限度减少存储电荷,提高开关速度。
特性:
●沟槽式 MOS 肖特基技术 ●低正向压降 ●高工作效率 ●最高浸焊温度 275°C( 10 秒),符合 JESD 22-B106 标准 ●通过 AEC-Q101 认证应用:
●高频逆变器 ●开关电源 ●续流二极管 ●DC-DC 转换器 ●电池反向保护芯天下提供几乎所有100 V、150 V 和 200 V TMBS系列产品。
| 型号 | 描述 |
|---|---|
| V10150C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB |
| V30150C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO220AB |
| V40150C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 40A TO220AB |
| VB10150C-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB |
| VB30150C-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO263AB |
| VB40150C-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 40A 150V DUAL |
| VBT10200C-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB |
| VSB2200S-M3/54 | DIODE SCHOTTKY 200V 2A AXIAL |
| VSB3200-M3/54 | DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO-201AD |
| VSSA310S-M3/61T | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO-214AC |
| VT10200C-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
By : sally