GeneSiC Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 封装 | Bulk |
| 电流 - 平均整流（Io ） （每个二极管） | 80A (DC) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 650mV @ 80A |
| 供应商设备封装 | D61-3M |
| 二极管类型 | Schottky |
| 标准包装 | 30 |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 35V |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 1.5mA @ 20V |
| 其他名称 | FST8335MGN |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 封装/外壳 | D61-3M |
| 正向电压下降 | 0.75 V |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 175 C |
| 系列 | FST833 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 封装/外壳 | D61-3M |
| 峰值反向电压 | 35 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大浪涌电流 | 800 A |
| 正向连续电流 | 80 A |
| RoHS | RoHS Compliant |
| If - Forward Current | 80 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 35 V |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| Ir - Reverse Current | 1 uA |
| Ifsm - Forward Surge Current | 800 A |
| 技术 | Si |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| Vf - Forward Voltage | 0.75 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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