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数量:2 |
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| 规格书 |
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| 封装 | Tray |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 4 V |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 5 |
| 最大工作频率 | 175 MHz |
| 安装风格 | Screw |
| 功率耗散 | 20 W |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 18 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | M113 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| 工作频率 | 175 MHz |
| 晶体管类型 | Bipolar Power |
| 技术 | Si |
| 品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
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