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厂商型号:

SUP53P06-20-E3

芯天下内部编号:
5-SUP53P06-20-E3
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 9.2 A
RDS -于 19.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 70 ns
典型下降时间 40 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
Package Width 4.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 3100
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 19.5@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
Package Length 10.41(Max)
引脚数 3
Package Height 9.01(Max)
最大连续漏极电流 9.2
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9.2A (Ta), 53A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 19.5 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 3500pF @ 25V
其他名称 SUP53P0620E3
闸电荷(Qg ) @ VGS 115nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 9.2 A
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 19.5 mOhms
功率耗散 3.1 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 7 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 40 ns
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.0195 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220AB
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 60 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :53A
Drain Source Voltage Vds :-60V
On Resistance Rds(on) :19.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1V
功耗 :3.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220AB
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :9.2A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :Through Hole
Voltage Vds Typ :60V
Voltage Vgs Max :-20V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :3V
Voltage Vgs th Min :1V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

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