vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| RDS -于 | 5.3@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 95 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 最大功率耗散 | 3750 |
| 最大连续漏极电流 | 110 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 800 |
| 最小起订量 | 800 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 110A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.3 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.75W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6700pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 95nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SUM110N04-05H-E3DKR |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 110 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 5.3 mOhms |
| 功率耗散 | 3.75 W |
| 商品名 | TrenchFET |
| 上升时间 | 95 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 12 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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