Vishay/Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 8 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 175 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 3.7 W |
| 上升时间 | 140 ns |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 商品名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| Maximum Drain Source Resistance | 8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 最大功率耗散 | 3700 |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
咨询QQ
热线电话
