图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SiR812DP |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 60A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.45 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 335nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 10240pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 48.9A (Ta), 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.45 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 10240pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 335nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIR812DP-T1-GE3CT |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :60A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0011ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :104W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK SO |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.00012 |
| Tariff No. | 85412900 |
SIR812DP-T1-GE3也可以通过以下分类找到
SIR812DP-T1-GE3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家