vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8PowerPAK SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| RDS -于 | 1.8@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 28 ns |
| 典型上升时间 | 36 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 典型下降时间 | 16 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.8 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 83W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4980pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIR158DP-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1.8 mOhms |
| 功率耗散 | 5.4 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PowerPAK SO-8 |
| 零件号别名 | SIR158DP-GE3 |
| 上升时间 | 36 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 16 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | PowerPAK SO |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 系列 | SIR |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 1.04 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 长度 | 6.15 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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