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数量:0 |
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| 规格书 |
 SIE812DF |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 60A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 170nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8300pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 10-PolarPAK® (L) |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK® (L) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 10-PolarPAK® (L) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK® (L) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8300pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 170nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 33 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2.6 mOhms |
| 功率耗散 | 5.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SIE812DF-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| Continuous Drain Current Id | :60A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :3.4mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.3V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
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