vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8PowerPAK SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 9.4 A |
| RDS -于 | 12@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.04 |
| 最大功率耗散 | 1800 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 12@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| 包装长度 | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 9.4 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12 mOhm @ 12.4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.5nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 9.4 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 漏源导通电阻 | 0.012 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | PowerPAK SO |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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