vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 8@Channel 1|6.7@Channel 2 A |
| RDS -于 | 16@10V@Channel 1|26.4@10V@Channel 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 27@Channel 1|14@Channel 2 ns |
| 典型上升时间 | 15@Channel 1|12@Channel 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 29@Channel 1|21@Channel 2 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16 mOhm @ 9.6A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 3.3W, 3.1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2458pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 26.4 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 零件号别名 | SI4622DY-E3 |
| 上升时间 | 15 ns, 12 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 11 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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