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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.6 A |
| RDS -于 | 16.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1100 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 16.5@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6.6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.6A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4330DY-T1-E3CT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6.6 A |
| 正向跨导 - 闵 | 28 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 16.5 mOhms |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 零件号别名 | SI4330DY-E3 |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 12 ns |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 系列 | TrenchFET® |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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