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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SI3529DV-T1-GE3 

产品描述

MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V

内部编号

5-SI3529DV-T1-GE3

生产厂商

Vishay/Siliconix

vishay

#1

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SI3529DV-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI3529DV-T1-GE3 datasheet 规格书
SI3529DV
标准包装 3,000
FET 型 N and P-Channel
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.5A, 1.95A
Rds(最大)@ ID,VGS 125 mOhm @ 2.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 7nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 205pF @ 20V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSOP (0.065", 1.65mm 宽度 )
供应商器件封装 6-TSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N and P-Channel
漏源击穿电压 40 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 2.25 A, 1.76 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.125 Ohms, 0.215 Ohms
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TSOP-6
封装 Reel
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 1.15 W
零件号别名 SI3529DV-GE3
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.5A, 1.95A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 6-TSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 125 mOhm @ 2.2A, 10V
FET型 N and P-Channel
功率 - 最大 1.4W
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 205pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 7nC @ 10V
封装/外壳 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
Continuous Drain Current Id :2.5A
Drain Source Voltage Vds :40V
On Resistance Rds(on) :0.1ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :1.15W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TSOP
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id, N Channel :2.5A
Continuous Drain Current Id, P Channel :-1.95A
Current Id Max :2.25A
Drain Source Voltage Vds, N Channel :40V
Drain Source Voltage Vds, P Channel :-40V
Module Configuration :Dual
On Resistance Rds(on), N Channel :0.1ohm
On Resistance Rds(on), P Channel :0.172ohm
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0004
Tariff No. 85412900
associated D00840
ADP3623ARDZ-RL
3209885-M

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