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  2. SI2312DS-T1-E3

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SI2312DS-T1-E3 

产品描述

MOSFET 20V 3.77A

内部编号

5-SI2312DS-T1-E3

生产厂商

Vishay / Siliconix

VISHAY

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

SI2312DS-T1-E3产品详细规格

规格书 SI2312DS-T1-E3 datasheet 规格书
Status Obsolete
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 33@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-236
最大功率耗散 750
最大连续漏极电流 3.77
引脚数 3
单位包 0
最小起订量 1

SI2312DS-T1-E3系列产品

型号厂家产品描述
SI2312DS-T1 Vishay / Siliconix MOSFET 20V 3.77A
SI2312BDS-T1-E3 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
SI2312BDS-T1-E3 vishay / siliconix Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
SI2312BDS-T1-E3/BKN vishay / siliconix Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
SI2312BDS-T1-GE3 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
SI2312CDS-T1-GE3 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R

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