vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SOT-563F |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.18@N Channel|0.145@P Channel A |
| RDS -于 | 5000@4.5V@N Channel|8000@4.5V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±5 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 180mA, 145mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 400mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.75nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1035X-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 5 V |
| 连续漏极电流 | 0.18 A, - 0.145 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 5000 mOhms at 4.5 V at N Channel, 8000 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 商品名 | TrenchFET |
| 封装/外壳 | SC-89-6 |
| 零件号别名 | SI1035X-GE3 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | +/- 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | SI1 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.6 mm |
| 宽度 | 1.2 mm |
| 长度 | 1.66 mm |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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