vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 Full-Pak |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 9.9 A |
| RDS -于 | 180@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 83 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 典型下降时间 | 52 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.9A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 其他名称 | *IRLI640G |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 180 mOhm @ 5.9A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 66nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 9.9 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 180 mOhms |
| 功率耗散 | 40 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 83 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 下降时间 | 52 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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