vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 46 A |
| RDS -于 | 55@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 23 ns |
| 典型上升时间 | 120 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 典型下降时间 | 94 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 280000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 55@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247AC |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 15.87(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 20.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 46 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 46 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 55 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 280 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 上升时间 | 120 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 下降时间 | 94 ns |
| 漏极电流（最大值） | 46 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.055 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Not Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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