vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| RDS -于 | 140@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 典型上升时间 | 63 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 典型下降时间 | 50 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 190000 |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 140@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247AC |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 15.87(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 20.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 23 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 190W |
| 匹配代码 | IRFP254PBF |
| R（ THJC ） | 0.65K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 25 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 140nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 23A |
| V（ DS ） | 250V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.14Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 23A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 其他名称 | *IRFP254PBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 140 mOhm @ 14A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 190W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2700pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 140nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 身高 | 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 最大漏源电阻 | 0.14 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 190 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 典型栅极电荷@ VGS | 140 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2700 pF V @ 25 |
| 宽度 | 5.31mm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 23 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 140 mOhms |
| 功率耗散 | 190 W |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 上升时间 | 63 ns |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 50 ns |
| 漏极电流（最大值） | 23 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.14 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 250 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :23A |
| Drain Source Voltage Vds | :250V |
| On Resistance Rds(on) | :140mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.005 |
| Tariff No. | 85411000 |
| Current,Drain | 23A |
| GateCharge,Total | 140nC |
| PackageType | TO-247AC |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 190W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.14Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 74ns |
| Time,Turn-OnDelay | 15ns |
| Transconductance,Forward | 11S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 250V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.8V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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