vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4HVMDIP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 400 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.49 A |
| RDS -于 | 1800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 典型下降时间 | 13 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | HVMDIP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 包装高度 | 3.37(Max) |
| 包装宽度 | 6.29(Max) |
| PCB | 4 |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 4 |
| 单位包 | 100 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 490mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 其他名称 | *IRFD320PBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.8 Ohm @ 210mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 400V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 410pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm |
| 身高 | 3.37mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 1.8 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | HexDIP, HVMDIP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 20 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 410 pF V @ 25 |
| 宽度 | 6.29mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.49 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 1800 mOhms |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 封装/外壳 | HexDIP-4 |
| 上升时间 | 14 ns |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 14 ns |
| 漏极电流（最大值） | 0.49 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 1.8 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 400 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 案例 | DIP4 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 1.3W |
| Drain-source voltage | 400V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 490mA |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.58 g |
| On-state resistance | 1.8Ω |
| Collective package [pcs] | 200 |
| spg | 200 |
| 高度 | 3.37mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 410 pF V @ 25 |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 1.8 Ω |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.29mm |
| 尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 400 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns |
| 封装类型 | HexDIP，HVMDIP |
| 最大连续漏极电流 | 0.49 A |
| 引脚数目 | 4 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC V @ 10 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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