vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A |
| RDS -于 | 11000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 9.4 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 58 ns |
| 典型下降时间 | 31 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 4.65(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 54000 |
| 最大漏源电压 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 11000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.51(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 9.01(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 其他名称 | *IRFBG20 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11 Ohm @ 840mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 54W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.4 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 11 Ohms |
| 功率耗散 | 54 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 17 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1000 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 下降时间 | 31 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
